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簡介:二硫化鉭晶體(1T)TaS2(TantalumSulfide)-1T晶體尺寸:~8毫米電學(xué)性能:半導(dǎo)體,電荷密度波(CDW),Mott相晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶胞參數(shù):a=b=0.336nm,c=0.5...
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簡介:*environmentallystablemetallicNbS2(niobiumdisulfide)crystals:NbS2displaysmetallicandsuperconductin...
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簡介:二硫化鉭晶體(2H)TaS2(TantalumSulfide)-2H晶體尺寸:~10毫米電學(xué)性能:Metal,Chargedensitywaves(CDW)systembelow~75K,Supe...
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簡介:AnisotropictransitionmetaltrichalcogenidematerialTiS3isavailableat2DsemiconductorsUSA.
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簡介:二硫化鈦晶體TiS2(TantalumSulfide)晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶體尺寸:~10毫米電學(xué)性能:半金屬,逆磁性晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶胞參數(shù):a=b=0.340nm,c=0.570nm,α=β=90...
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簡介:ZrSiSasatheoreticallypredictedandexperimentallyprovenDiracsemimetal,exhibitingFermiliquidbehaviorw...
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簡介:二硫化鎢晶體2H-WS2(TungstenDisulfide)晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶體尺寸:~10毫米電學(xué)性能:N型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶胞參數(shù):a=b=0.315nm,c=1.227nm,α=β=...
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簡介:GammalayeredphaseofIn2S3isadirectgapsemiconductorwithanopticalbandgaprangingfrom2eV-3.25eV.
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簡介:RheniumatomsperfectlyincorporatedintoMoS?matrix.
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簡介:NiPSe3isaquasi-two-dimensionalantiferromagnetinthebulkformwhileit'smagneticresponseinthemonolayerl...
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簡介:硫鹽礦物晶體Pb3Sn4FeSb2S14(LeadTinFerrumAntimonySulfide)晶體結(jié)構(gòu):六邊形類型:合成尺寸:~8mm純度:gt;99.995%屬性:超導(dǎo)體
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簡介:14yearsofgrowthoptimizationinchemicalvaportransport(CVT)aswellasfluxgrowthleadtoourflawlessWS2crys...
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簡介:Singlecrystalhighlyoriented-synthetic-molybdenumdisulfide(2H-MoS?)comesinbulk.
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簡介:NaturalMoS2isanindirectgapsemiconductor(1.2eV)butbecomeshighlyluminescentinthemonolayerfromat1.9eV...
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簡介:晶體尺寸:10毫米電學(xué)性能:半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu):斜方晶系晶胞參數(shù):a=0.4025nm,B=1.117nm,C=1.135nm,α=β=γ=9晶體類型:合成晶體純度:>99.995%表征方法:XRD,...
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簡介:OurTiS2crystalsarestabilizedin1Tohase(semimetallicphase).
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簡介:二硫化鈮晶體2H-NbS2(NiobiumDisulfide)晶體尺寸:2毫米電學(xué)性能:金屬,superconductor(Tc~6K),chargedensitywaves(CDW)system...
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簡介:SinglecrystalReS?(Rheniumdisulfide)crystalsaredevelopedatourfacilitiesusingchemicalvaportransporto...
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簡介:三硫化鈮晶體(99.995%)NbS3晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe...
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