晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系晶胞參數(shù)：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍爾測(cè)量

晶體尺寸：10毫米
電學(xué)性能：半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系
晶胞參數(shù)：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍爾測(cè)量

晶體尺寸：10毫米
電學(xué)性能：半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系
晶胞參數(shù)：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍爾測(cè)量

XRD of a single crystal Bi2S3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

EDX of a single crystal Bi2S3.

Raman of a single crystal Bi2S3. Measurement with a 785nm Raman at room temperature.