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簡介:這款蝕刻和清潔系統(tǒng)專為滿足當今晶圓、光掩模和基板的前沿應用的特殊工藝需求而設計。
深圳市科時達電子科技有限公司 產地:深圳市我要詢價 -
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簡介:LaserMBELaserMBE特點模塊化概念,LaserMBE可以輕松升級到傳輸模塊或其他模塊UHVPLD主腔室、利用Load-lock實現(xiàn)襯底和靶材的UHV傳輸的工藝自動化功能,可實現(xiàn)超晶格生...
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簡介:用于沉積納米級薄膜、納米粉末包覆、長深孔樣品鍍膜;具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生產型ALD;具備近100種膜層工藝。應用領域:芯片封裝、半導體High-k介電...
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¥6240000
簡介:上海伯東代理美國進口KRI考夫曼離子源KDC100中型規(guī)格柵極離子源,廣泛加裝在薄膜沉積大批量生產設備中,考夫曼離子源KDC100采用雙陰極燈絲和自對準柵極,標準配置下離子能量范圍100至1200...
伯東企業(yè)(上海)有限公司 會員等級: 產地:上海市我要詢價 -
¥8400000
簡介:上海伯東代理美國進口KRI考夫曼離子源KDC160是目前考夫曼KDC系列zui大,離子能量zui強的柵極離子源,適用于已知的所有離子源應用,離子源KDC160高輸出設計,zui大電流超過1000m...
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¥3000000
簡介:上海伯東代理美國進口KRI霍爾離子源eH200是霍爾離子源型eH系列中尺寸最小,低成本設計離子源.霍爾離子源eH200適用于小型真空腔內,例如研發(fā)分析,薄膜沉積和離子清洗.霍爾離子源eH200操作...
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¥3600000
簡介:上海伯東代理美國進口KRI線性離子源使用eH400做為模組,能應用于寬范圍的襯底,離子源長度高達1米,通過嚴格調整模組間的距離可以實現(xiàn)更佳的均勻性和離子流.由于模組是平行放置,大大簡化了氣體,功率...
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¥7200000
簡介:上海伯東代理美國進口KRI射頻離子源RFICP40:目前KRI射頻離子源RFICP系列尺寸最小,低成本高效離子源.適用于集成在小型的真空腔體內.離子源RFICP40設計采用創(chuàng)新的柵極技術用于研發(fā)和...
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¥6000000
簡介:上海伯東代理美國進口KRI霍爾離子源eH3000適合大型真空系統(tǒng),與友廠大功率離子源對比,eH3000是目前市場上高效,提供更高離子束流的離子源.
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¥4200000
簡介:上海伯東代理美國進口KRI霍爾離子源eH1000,低成本設計提供高離子電流,特別適合中型真空系統(tǒng).通常應用于離子輔助鍍膜,預清洗和低能量離子蝕刻.
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