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簡(jiǎn)介:硫化鍺晶體GeS(GermaniumSulfide)晶體尺寸:~10毫米電學(xué)性能:半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu):斜方晶系晶胞參數(shù):a=1.450,b=0.364nm,c=0.430nm,α=β=γ=90#176...
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簡(jiǎn)介:形狀:可任意裁剪尺寸:1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數(shù):?jiǎn)螌泳Я#簡(jiǎn)尉?多晶,50~300um
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簡(jiǎn)介:1.將單層硫化鉬轉(zhuǎn)移至襯底(襯底可根據(jù)客戶需求選定)2.邊長(zhǎng)gt;15um(三角形)片內(nèi)層數(shù)均勻3.襯底上轉(zhuǎn)移3個(gè)(數(shù)量可定制)帶電極的單層硫化鉬樣品4.電極間距:~5um
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簡(jiǎn)介:二硫化鉬晶體(天然)MoS2(MolybdenumDisulfide)晶體結(jié)構(gòu):六邊形類(lèi)型:天然晶體尺寸:~10mm-20mm純度:gt;99%屬性:半導(dǎo)體
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簡(jiǎn)介:形狀:可任意裁剪尺寸:1*1cm襯底:紫銅層數(shù):?jiǎn)螌泳Я#簡(jiǎn)尉?多晶,50~300um量大價(jià)格面議
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簡(jiǎn)介:二硫化鎢鉬晶體MoWS2(MolybdenumTungstenDisulfidealloy)晶體尺寸:~6毫米電學(xué)性能:半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶胞參數(shù):取決于合金成分:a=b=0.31-0.33n...
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簡(jiǎn)介:ThisproductcontainsfullareacoverageMoS2monolayersonSiO2/Sisubstrates.
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簡(jiǎn)介:二硫化鈮晶體3R-NbS2(NiobiumDisulfide)晶體尺寸:4毫米電學(xué)性能:金屬晶體結(jié)構(gòu):六邊形晶胞參數(shù):a=b=0.330nm,c=1.792nm,α=β=90,γ=120#176;...
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