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簡介：chao高純SbTe3粉末chao高純?nèi)诨R粉末（1g）純度：99.99995%重量：1g制備方法：使用再提純后的chao高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

簡介：超高純Bi2S3粉末超高純硫化鉍粉末（1g）純度：99.99995%重量：1g

簡介：超高純GaTe粉末超高純碲化鎵粉末（1g）純度：99.99995%重量：1g

簡介：高純MoSSe粉末高純硫硒化鉬粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g

簡介：高純CrBr3粉末高純?nèi)寤t粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g

簡介：比表面積~600m2/g松裝密度~0.0045g/cm3）單位：克

簡介：超高純CrBr3粉末超高純?nèi)寤t粉末（1g）純度：99.99995%重量：1g

簡介：高純MoS2粉末高純二硫化鉬粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

簡介：高純Bi2Se3粉末高純硒化鉍粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g

簡介：超高純MoS2粉末超高純二硫化鉬粉末（1g）純度：99.99995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

簡介：超高純Bi2Se3粉末超高純硒化鉍粉末（1g）純度：99.99995%重量：1g

簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um

簡介：高純Bi2S3粉末高純硫化鉍粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g

簡介：1．將單層硫化鉬轉(zhuǎn)移至襯底（襯底可根據(jù)客戶需求選定）2．邊長gt;15um（三角形）片內(nèi)層數(shù)均勻3．襯底上轉(zhuǎn)移3個（數(shù)量可定制）帶電極的單層硫化鉬樣品4．電極間距：~5um

簡介：超高純Bi2S3粉末超高純硫化鉍粉末（1g）純度：99.99995%重量：1g

簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um

簡介：高純MoSSe粉末高純硫硒化鉬粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g

簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm襯底：紫銅層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um量大價格面議

簡介：比表面積~600m2/g松裝密度~0.0045g/cm3）單位：克

簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um