X-MaxN 的晶體尺寸從適合于微米分析的20 mm2到納米材料分析150 mm2的共四種可選。尤其是150 mm2為當今晶體面積zui大的探測器，分析速度至少是普通探測器的兩倍。

　　X-MaxN 的晶體尺寸從適合于微米分析的20 mm2到納米材料分析150 mm2的共四種可選。尤其是150 mm2為當今晶體面積zui大的探測器，分析速度至少是普通探測器的兩倍。

　　總覽

　　探測器晶體尺寸可選，分別為150 mm2，80 mm2，50 mm2，20 mm2

　　無論晶體面積或大或小，X-MaxN 的分辨率始終如一的好——并符合標準ISO15632:2012

　　無論晶體尺寸如何，能譜儀外管尺寸及在電鏡中的位置**，確保相同條件下，計數(shù)率的增加只源于晶體尺寸的增加

　　強大的低能端分析，所有晶體面積的能譜儀均保證由Be開始

　　與上一代X-Max同，無論SEM或FIB均使用同一界面

　　無論晶體面積如何，優(yōu)異的性能始終如一

　　因其*地外置型FET場效應管設計，X-MaxN 的分辨率*不受晶體面積變化的影響始終如一，且保證全部具有優(yōu)異的低能端檢測性能

　　探測器外管尺寸相同，意味著相同條件下，計數(shù)率僅與晶體面積有關

　　保證所有晶體面積的能譜儀均具有優(yōu)異的能量分辨率

　　出眾的低能端分析性能，保證所有尺寸的能譜儀皆可探測到Be元素

　　使用大面積能譜儀意味著：

　　低束流下有足夠的計數(shù)率

　　盡可能高的實現(xiàn)圖像的可視性及準確性

　　無需為能譜分析改變SEM的條件

　　在相同束流下，*地提高計數(shù)率

　　縮短采集時間

　　統(tǒng)計性更高

　　實現(xiàn)小束斑下的能譜分析

　　提高能譜檢測的空間分辨率

　　盡可能體現(xiàn)高分辨電鏡的優(yōu)勢

　　晶體面積越大，X-射線計數(shù)效率越高

　　相同條件下，晶體面積越大：

　　以前需要幾分鐘完成的工作，現(xiàn)在僅需要幾秒鐘——面/線分布更易獲得

　　采集時間相同，可*地提高分析精度及統(tǒng)計性

　　大面積能譜儀——快速獲得所有顯微分析結果

　　優(yōu)異的低能端分析性能

　　X-MaxN 為低能端元素的分析做了巨大的優(yōu)化——無論何種尺寸，均*的表現(xiàn)出優(yōu)異的低能端分析性能

　　所有尺寸的能譜儀均可保證檢測到Be，可獲得SiLI峰的面分布

　　超大面積的能譜儀——均具有優(yōu)異的低能端分析性能

　　優(yōu)異的空間分辨率

　　高空間分辨率，X射線擴展區(qū)域更小

　　大面積能譜儀可以在低加速電壓及低束流下采集X-射線

　　納米尺度的特征可以更好的被檢測到

　　超大面積的能譜儀——使高級的納米分析成為可能