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上海伯東代理 KRi 射頻離子源 RFICP 220

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上海伯東代理美國進(jìn)口 KRi 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)更佳的薄膜特性.

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射頻離子源 RFICP 220

KRi 射頻離子源 RFICP 220
上海伯東代理美國進(jìn)口 KRi 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 標(biāo)準(zhǔn)配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 1000 mA.
KRi 射頻離子源 RFICP220

KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):

陽極

電感耦合等離子體
2kW & 2 MHz
射頻自動(dòng)匹配

zui大陽極功率

>1kW

zui大離子束流

> 1000mA

電壓范圍

100-1200V

離子束動(dòng)能

100-1200eV

氣體

Ar, O2, N2, 其他

流量

5-50 sccm

壓力

< 0.5mTorr

離子光學(xué), 自對(duì)準(zhǔn)

OptiBeamTM

離子束柵極

22cm Φ

柵極材質(zhì)

離子束流形狀

平行,聚焦,散射

中和器

LFN 2000, MHC 1000

高度

30 cm

直徑

41 cm

鎖緊安裝法蘭

10”CF


KRI 射頻離子源 RFICP 220 基本尺寸
射頻離子源 RFICP220
射頻離子源中和器

KRI 射頻離子源 RFICP 220 應(yīng)用領(lǐng)域:
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜 (光學(xué)鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

射頻離子源 RFICP 220 集成于半導(dǎo)體設(shè)備, 實(shí)現(xiàn) 8寸芯片蝕刻
射頻離子源 RFICP220

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計(jì)原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專li. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領(lǐng)域, 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.

若您需要進(jìn)一步的了解 KRI 射頻離子源, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生



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