1、眾多獨(dú)立分析實(shí)驗(yàn)室的主力軍
2、通用磁扇區(qū)二次離子質(zhì)譜儀：比飛行時(shí)間（TOF）SIMS要快，比四級桿
SIMS質(zhì)量分辨率要高
3、高靈敏度痕量元素分析：ppm-ppb級
4、痕量元素深度剖析：亞微米級橫向分辨率，納米級深度分辨率
5、高靈敏度痕量元素二次離子顯微圖像（2＆3D）

二次離子質(zhì)譜概述

1. 一定能量的離子打到固體表面會引起表面原子、分子或原子團(tuán)的二次發(fā)射，即離子濺射。濺射的粒子一般以中性為主，其中有一部分帶有正、負(fù)電荷，這就是二次離子。利用質(zhì)量分析器接收分析二次離子就得到二次離子質(zhì)譜。根據(jù)濺射的二次離子信號，可對被轟擊樣品的表面和內(nèi)部元素及分布特征進(jìn)行分析。
2. 二次離子質(zhì)譜儀主要用于材料學(xué)（半導(dǎo)體、薄層、絕緣材料等）、地質(zhì)空間學(xué)、天體化學(xué)、環(huán)境微生物學(xué)和細(xì)胞學(xué)。
3. 主要功能：

               質(zhì)譜分析-表面微區(qū)元素組成

               痕量元素深度剖析

               二次離子成像及顯微圖像分布（2＆3D）

               穩(wěn)定同位素豐度比

               放射性顆粒分析

               地質(zhì)定年

二次離子質(zhì)譜  IMS 7f

1、眾多獨(dú)立分析實(shí)驗(yàn)室的主力軍

2、通用磁扇區(qū)二次離子質(zhì)譜儀：比飛行時(shí)間（TOF）SIMS要快，比四級桿

      SIMS質(zhì)量分辨率要高

3、高靈敏度痕量元素分析：ppm-ppb級

4、痕量元素深度剖析：亞微米級橫向分辨率，納米級深度分辨率

5、高靈敏度痕量元素二次離子顯微圖像（2＆3D）

6、高分析速度高精度的穩(wěn)定同位素豐度比

7、可增配防輻射裝置，用于放射性樣品分析

8、用于半導(dǎo)體、材料和核能科學(xué)、生態(tài)環(huán)境領(lǐng)域、地質(zhì)學(xué)

1. 靈敏度：IMS 7f 工作時(shí)的有效離子產(chǎn)率(useful yields- secondary ion detected per atomsputtered)比四極桿分析器高達(dá)100倍。做一次通常的深度剖析或者成像分析，以獲得同樣靈敏度所用時(shí)間相比，是飛行時(shí)間（TOF）類SIMS的千分之一。(或反過來說，同樣的分析時(shí)間，TOF SIMS的靈敏度要低達(dá)1000倍)。
2. 質(zhì)量分辨: IMS 7f 可以分辨絕大多數(shù)質(zhì)譜中存在的質(zhì)量干擾，例如，31P與H30Si, 56Fe與28Si or 17O與H16O。這些干擾使得低質(zhì)量分辨率質(zhì)譜儀（比如四極桿類型）的探測極限大打折扣。CAMECA的SIMS獲得高質(zhì)量分辨率的同時(shí)并不會降低分析速度，這是TOF質(zhì)譜儀無法做到的。
3. 離子成像：IMS 7f 可以對所選質(zhì)量給出顯微鏡模式的圖像，分辨率達(dá)到一微米。從時(shí)間上看，這種模式下獲得圖像的速度比常規(guī)的掃描圖像模式(microprobe mode)要高幾個(gè)數(shù)量級。這種模式下還可以大大縮短調(diào)試設(shè)備的時(shí)長。
4.  若想獲得亞微米級分辨率的圖像，CAMECA IMS 7f 需要采用微探針模式，依靠動(dòng)態(tài)光學(xué)傳輸以及高亮離子源達(dá)到業(yè)界zui高水準(zhǔn)的靈敏度和分辨率。

     高分析效率: A high efficiency optical gate is used to eliminate crater edge effects for       combining high sputter rate and high dynamic range in the depth profile mode. Full computer control of the instrument allowing unattended analyses with different analysis recipe