脈沖激光沉積分子束外延系統(tǒng)：分子束外延系統(tǒng)（MBE） GaAs、InP和GaSb外延 HgCdTe外延 GaN、InN和AlN外延 Ⅱ-Ⅵ族外延 SiGe外延 Si/金屬/氧化物外延

       脈沖激光沉積分子束外延系統(tǒng)
 

　　優(yōu)異的性能，PVD公司生產(chǎn)的在國(guó)內(nèi)有較多用戶(hù)，為眾多老師開(kāi)啟薄膜外延制備的新篇章。
 

　　主腔室，樣品傳輸腔，1100度加熱系統(tǒng)，樣品旋轉(zhuǎn)，PLD靶材操控器及光路，K-cell熱蒸發(fā)源，電子束蒸發(fā)源，射頻RF離子源 PVD公司是美國(guó)主要制造商，是一家專(zhuān)業(yè)從事脈沖激光沉積分子束外延(PLD MBE)和超高真空薄膜沉積系統(tǒng)及組件的設(shè)計(jì)和制造的公司，提供超高真空薄膜沉積系統(tǒng)，應(yīng)用于分子束外延、UHV濺射和脈沖激光沉積。產(chǎn)品主要集中在小型研究開(kāi)發(fā)系統(tǒng)，其應(yīng)用主要包括： 用分子束外延進(jìn)行半導(dǎo)體材料、ZnO、GaN、SiGe和金屬/氧化物外延生長(zhǎng)； UHV磁控濺射磁性薄膜； 脈沖激光沉積超導(dǎo)薄膜、氧化物和陶瓷材料。 應(yīng)用主要包括：
 

　　脈沖激光沉積分子束外延系統(tǒng)
 

　　分子束外延系統(tǒng)(MBE) GaAs、InP和GaSb外延 HgCdTe外延 GaN、InN和AlN外延 Ⅱ-Ⅵ族外延 SiGe外延 Si/金屬/氧化物外延
 

　　超高真空物理氣相沉積(PVD)系統(tǒng) 磁控濺射系統(tǒng) 脈沖激光沉積(PLD)系統(tǒng) 電子束蒸發(fā)系統(tǒng) 離子束沉積系統(tǒng) 熱蒸發(fā)系統(tǒng)
 

　　已經(jīng)在范圍內(nèi)安裝了超過(guò)100套的超高真空系統(tǒng)。絕大部分的產(chǎn)品都是針對(duì)用戶(hù)定制設(shè)計(jì)復(fù)雜的沉積系統(tǒng)。在標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)制造業(yè)中有著深厚的為用戶(hù)定制設(shè)計(jì)的背景，在用戶(hù)中具有很好的聲譽(yù)。許多的標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)初都是起源于針對(duì)某些客戶(hù)對(duì)沉積過(guò)程特殊需求的解決方案，與廣大的中國(guó)用戶(hù)開(kāi)展更為廣泛的交流與合作，為廣大的中國(guó)用戶(hù)提供優(yōu)質(zhì)PLD MBE和超高真空薄膜沉積系統(tǒng)制造商的產(chǎn)品和服務(wù)。