PHI 4700 AES俄歇分析儀使用了AES分析技術為基礎，搭配靈敏度半球型能量分析器、10 kV LaB6掃瞄式電子槍、5 kV浮動柱狀式Ar離子槍及高精密度自動樣品座。針對例行性的俄歇縱深分析、微區(qū)域的故障分析，提供了全自動與及高經濟效益的解決方法。

       在開發(fā)新材料及薄膜制程上，為了有助于了解材料組成間的相互作用及解決工藝流程的問題，材料組成或薄膜迭層的深度分析是非常重要的。
 

　　PHI 4700 AES俄歇分析儀是建基于Ulvac-Phi公司的高性能PHI 700Xi俄歇掃描納米探針。它提供了高度自動化，低成本、高效益的方案進行例行俄歇深度分析和微米范圍的故障分析。 PHI 4700 AES俄歇分析儀可以輕易的配備上互聯網的設備，以供遠程操作或監(jiān)控之用。
 

　　優(yōu)點：
 

　　l  量化薄膜的成分
 

　　l  層的厚度測量
 

　　l  檢測相互擴散層
 

　　l  微米范圍多點分析
 

　　基本規(guī)格：
 

　　全自動多樣品縱深分析：PHI 4700薄膜分析儀在微小區(qū)域之縱深分析擁有的經濟效益，可在SEM上特定微米等級之微小區(qū)域快速進行深度分析。圖2顯示長年使用的鍍金電極正常與變色兩個樣品之縱深分析結果，兩者材質皆為鍍金之錫磷合金。從電極二(變色電極)可看到金屬錫擴散到鍍金膜上，因為界面的腐蝕而產生氧及錫導致電極變色。
 

　　靈敏度半球型能量分析器：PHI 4700半球形能量分析器和高傳輸輸入透鏡可提供超高的靈敏度和大幅縮短樣品分析時間。除此之外，具有全自動的量測功能，此裝置可在短時間內測量多個樣品。 點選屏幕上軟件所顯示的樣品座，可以記錄欲量測的位置，對產品與工藝流程管理上之數據搜集可進行個別分析。
 

　　10 kV LaB6掃瞄式電子槍：PHI的06-220電子槍是基于一個以LaB6為電子源燈絲以提供穩(wěn)定且長壽命電子槍的工具，主要在氬氣濺射薄膜時進行深度分析。06-220電子槍還可以：產生二次電子成像，俄歇測繪和多點分析。在加速電壓調節(jié)從0.2至10千伏。電子束的小尺寸可保證小于80納米。
 

　　浮動柱狀式Ar離子槍：PHI的FIG- 5B浮動柱狀式Ar離子槍:提供離子由5伏到5千伏。大電流高能量離子束被用于厚膜，低能量離子束(250-500 V)用于超薄膜。浮動柱狀式，確保高蝕刻率與低加速電壓。物理彎曲柱會阻止高能量的中性原子，從而改善了濺射坑形狀和減少對鄰近地區(qū)的濺射。
 

　　五軸電動樣品臺和Zalar方位旋轉：PHI 15-680精密樣品臺提供5軸樣品傳送：X，Y，Z，旋轉和傾斜。所有軸都設有馬達及軟件控制，以方便就多個樣品進行的自動縱深分析。樣品臺提供Zalar(方位角)旋轉的縱深剖析，利用旋轉來降低樣品在一個固定位置上的擇優(yōu)濺射，以優(yōu)化縱深分析。
 

　　PHI SmartSoft用戶界面：PHI SmartSoft是一個被認同為方便用者使用的操作儀器軟件。軟件透過任務導向和卷標橫跨頂部的顯示指導用戶從輸入樣品，定義分析點，并設定分析。多個分析點的定義和理想樣品的定位是由一個強大的“自動Z軸定位”功能所提供。預存多樣的操作設定，可讓新手能夠快速，方便使用。
 

　　可選用配備：
 

　　l  熱/冷樣品座
 

　　l  樣品真空傳送管(Sample Transfer vessel)
 

　　應用領域：
 

　　半導體薄膜產業(yè)
 

　　微電子封裝產業(yè)
 

　　無機光電產業(yè)