RHEED-反射式高能電子衍射儀是觀察晶體生長(zhǎng)重要的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)工具之一。它可以通過(guò)非常小的掠射角將能量為10～30KeV的單能電子掠射到晶體表面，通過(guò)衍射斑點(diǎn)獲得薄膜厚度，組分以及晶體生長(zhǎng)機(jī)制等重要信息。 因此反射高能電子衍射儀已成為MBE、PLD等系統(tǒng)中監(jiān)測(cè)薄膜表面形貌的一種標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)。

       R-DEC公司生產(chǎn)的反射高能電子衍射儀，以便于操作者使用的人性化設(shè)計(jì)，穩(wěn)定性和耐久性以及擁有高亮度的衍射斑點(diǎn)等特點(diǎn)，得到日本本土及其他國(guó)家各研究機(jī)構(gòu)的*好評(píng)和認(rèn)可。
 

　　RHEED-反射式高能電子衍射儀特點(diǎn)：
 

　　可遠(yuǎn)程控制調(diào)節(jié)電壓，束流強(qiáng)度，聚焦位置以及光束偏轉(zhuǎn)
 

　　XY軸±5度電子束偏轉(zhuǎn)
 

　　高效熒光屏擁有高亮度衍射斑點(diǎn)
 

　　電子槍內(nèi)表面經(jīng)特殊處理，能實(shí)現(xiàn)極低放氣率
 

　　鎳鐵高導(dǎo)磁合金磁屏蔽罩(可選)
 

　　可搭載差動(dòng)排氣系統(tǒng)用于低真空系統(tǒng)(可選)
 

　　負(fù)高壓電源安全閉鎖功能
 

　　經(jīng)久耐用，穩(wěn)定可靠
 

　　符合歐盟RoHS指令
 

　　kSA400分析軟件(可選)
 

　　RHEED-反射式高能電子衍射儀規(guī)格：
 

　　30KeV 電子槍

     30KeV 電子槍電源

　　反射高能電子衍射儀分析系統(tǒng)（kSA400 Leader in Analytical RHEED and LEED）
 

　　kSA400 分析軟件是較專(zhuān)業(yè)的RHEED分析系統(tǒng)，適合各種反射高能電子衍射儀和薄膜沉積系統(tǒng)，目前第四代系統(tǒng)結(jié)合優(yōu)質(zhì)的硬件和功能強(qiáng)大的軟件除了可以實(shí)時(shí)取得分析數(shù)據(jù)之外，還可實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)晶格間距，原位應(yīng)力，實(shí)時(shí)薄膜沉積速率以及薄膜厚度的解析。為用戶(hù)提供較廣泛的RHEED分析信息。
 

　　RHEED應(yīng)用
 

　　RHEED可以廣泛應(yīng)用于MBE(分子束外延), PLD(脈沖激光沉積)等其它需要實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)材料生長(zhǎng)狀態(tài)的設(shè)備中。它將帶有晶體表面信息的反射束呈現(xiàn)于接收熒光屏上，通過(guò)圖像采集和解析軟件，對(duì)收集到的信息進(jìn)行分析，從而使用戶(hù)獲得薄膜厚度，組分以及晶體生長(zhǎng)機(jī)制等重要信息。