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銦鎵砷探測器

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常溫型銦鎵砷探測器 DInGaAs1650型內(nèi)裝國產(chǎn)大面積InGaAs元件； DInGaAs1700-R03M型內(nèi)裝進口InGaAs元件； DInGaAs2600-R03M型內(nèi)裝進口大面積InGaAs元件

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銦鎵砷探測器（InGaAs）

常溫型銦鎵砷探測器（InGaAs）

 DInGaAs1650型內(nèi)裝國產(chǎn)大面積InGaAs元件；

 DInGaAs1700-R03M型內(nèi)裝進口InGaAs元件；

 DInGaAs2600-R03M型內(nèi)裝進口大面積InGaAs元件

 

銦鎵砷探測器光譜響應度曲線參考圖 （虛線為國產(chǎn)InGaAs元件光譜響應度曲線，實線為進口元件）：

 

銦鎵砷探測器型號列表及主要技術(shù)指標：

型號/參數(shù)

DInGaAs1650

DInGaAs1700- R03M

DInGaAs2600- R03M

光敏面直徑(mm)

3

3

3

波長范圍(nm)

800-1700

800-1700

800-2600

峰值響應度 (A/W, zui小)

0.85

0.9

1.1

暗電流(nA, zui大)

200

100

1mA

D*(典型值)

-

2.3×1012

4.1×1010

NEP(典型值)

-

1.2×10-13

6.5×10-12

阻抗(MΩ)

1

1.5

320Ω

電容(pF)

1500

800

9000

響應時間(ns)

160

100

1μs

信號輸出模式

電流

電流

電流

輸出信號極性

正（P）

正（P）

正（P） 

北京卓立漢光儀器有限公司

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手機：13810146393

聯(lián)系人：賀

電話：86-010-56370168-696

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