X射線能譜EDS
新一代的QUANTAX能譜儀采用*的 slim-line 技術(shù)，并可搭載不同有效面積的XFlash® 6探頭。而且，依托于改進(jìn)的超級(jí)數(shù)模雙通道脈沖處理器，布魯克又一次為能譜儀的操作性和功能性建立了新的標(biāo)準(zhǔn)。
利用以上科技，布魯克第六代電致冷能譜儀為微米尺度甚至納米尺度的微區(qū)分析提供了迄今為止zui為快速和可靠的分析工具。
布魯克第六代XFlash® 探測(cè)器
種探頭面積可選
10, 30, 60 及 100 mm² 的探頭面積可選，提供微量分析及納米分析的理想解決方案
超高脈沖數(shù)據(jù)處理能力，保證zui快的測(cè)量速度
輸入計(jì)數(shù)率超過(guò)
輸出計(jì)數(shù)率超過(guò)
的能量分辨率，保證*的輕元素和低能端分析
121eV limited edition
123eV ultimate
126eV premium
129eV standard
所有能量分辨率指標(biāo)均優(yōu)于 的要求
Slim-line 技術(shù)：更高的計(jì)數(shù)率，更低束流下的分析
簡(jiǎn)潔的設(shè)計(jì)，探頭小巧輕便
探測(cè)器重量不超過(guò)
® 6 for SEM
® 6 | 10 及 6 | 30涵蓋絕大部分應(yīng)用領(lǐng)域， 包括高束流分析、低電壓（納米）分析和低真空分析。而XFlash® 6 | 60 和 6 | 100 則適用于一些不常見(jiàn)應(yīng)用領(lǐng)域，包括低束流分析和對(duì)束流極其敏感的樣品。
XFlash® 6 | 10 – *能量分辨率SDD
10 mm² 探測(cè)器具有分辨率 Mn Ka 121 eV – 業(yè)內(nèi)的能量分辨率；
XFlash® 6 | 30 – 效率超高的全面分析能手
XFlash® 6 | 60 – 大面積SDD，納米分析專家
60 mm² SDD 適用于低束流分析；
XFlash® 6 | 100 – zui大的探測(cè)面積，為低束流應(yīng)用而生
100 mm² 有效面積，解決一些特殊測(cè)試需要；
® 6T for TEM
Bruker XFlash® 6T – 實(shí)現(xiàn)在 TEM 和 S/TEM 中zui大的固體角，zui大程度的減少了對(duì)電鏡在機(jī)械和電磁方面的干擾。提供*的檢出角，避免不必要的樣品傾斜。
XFlash® 6T | 30 – *適用于像差校正透射電子顯微鏡的SDD
XFlash® 6T | 60 – 固體角zui大的SDD，為埃米級(jí)別透射電子顯微鏡分析而生
60 mm²有效面積，專門適合分析中只有極低X射線產(chǎn)額的情況
