測量范圍 電阻率：0.001～200Ω.cm(可擴展)； 方塊電阻：0.01～2000Ω/□(可擴展)； 電導率：0.005～1000 s/cm； 電阻：0.001～200Ω.cm；可測晶片直徑 140mmX150mm(配S-2A型測試臺)； 200mmX200mm(配S-2B型測試臺)； 400mmX500mm(配S-2C型測試臺)；恒流源 電流量程分為0.1mA、1mA、10mA、100mA四

測量范圍 電阻率：0.001～200Ω.cm(可擴展)； 方塊電阻：0.01～2000Ω/□(可擴展)； 電導率：0.005～1000 s/cm； 電阻：0.001～200Ω.cm；可測晶片直徑 140mmX150mm(配S-2A型測試臺)； 200mmX200mm(配S-2B型測試臺)； 400mmX500mm(配S-2C型測試臺)；恒流源 電流量程分為0.1mA、1mA、10mA、100mA四檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)數(shù)字電壓表 量程及表示形式：000.00～199.99mV；　

分辨力：10μV； 輸入阻抗：>1000MΩ； 精度：±0.1% ； 顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動顯示；四探針探頭基本指標 間距：1±0.01mm； 針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 機械游移率：≤0.3%； 探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm； 探針壓力：5～16 牛頓(總力)；模擬電阻測量相對誤差 0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字 ( 按JJG508-87進行)