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簡介：單層氧化石墨烯（H法/進口）SingleLayerGrapheneOxide（HMethod）制備方法：改良的H法直徑：1~5um厚度：0.8~1.2nm單層比：99%純度：99%堆積密度：0.4...

簡介：三維石墨烯泡沫（1*1英寸）三維獨立石墨烯泡沫3DGrapheneFoam-3DFreestandingGrapheneFoam尺寸：11*1英寸熱釋放帶溫度：120#176;C

簡介：氧化石墨烯（S法/進口）GrapheneOxide（SMethod）制備方法：斯托登梅爾方法外觀為灰綠色粉末直徑：1~5um厚度：0.8~1.2nm比表面積（SSA）5-10平方米/克單層比：＞9...

簡介：硅基底石墨烯（1*1cm單層）GrapheneonSi表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt;95%制備方法：1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯2）石墨烯從銅轉移到硅襯...

簡介：Semiconductoranalogofgraphene:GrapheneoxidehasbeensynthesizedatourRamp;Dfacilitiesusingmodifiedrea...

簡介：硅基底石墨烯（1*1''單層）GrapheneonSi表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt;95%制備方法：1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯2）石墨烯從銅轉移到硅襯...

簡介：Carboxyl（-COOH）functionalizedgraphenehasbeendevelopedatourfacilities.Canbedepositedonvarioussubstr...

簡介：二氧化硅基底石墨烯（1*1''單層）GrapheneonSiO2表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt;95%制備方法：1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯2）石墨烯從銅...

簡介：Graphenefluoridehasbeendevelopedourfacilities.CarbontoFluorideratiois1:1andtheparticlesizerangesfr...

簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um

簡介：Nitrogendopedgraphenehasbeencreatedatourfacilities.Idealforexfoliation.Nitrogendopingisfixedat1.5-...

簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm襯底：紫銅層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um

簡介：制備方法：層間催化裂解法厚度：1~5nm直徑：~5um比表面積：90-130m2/g外觀：黑色粉末制備方法：層間催化裂解法厚度：1~5nm直徑：~5um比表面積：90-130m2/g外觀：黑色粉末...

簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um

簡介：制備方法：層間催化裂解法厚度：~2nm直徑：5~10um純度：98%含氧量：1.44%電導率：~2597s/cm

簡介：尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um

簡介：Carboxyl（-COOH）functionalizedgraphenehasbeendevelopedatourfacilities.Canbedepositedonvarioussubstr...

簡介：三維石墨烯網(wǎng)絡是在泡沫金屬基底上通過化學氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長成石墨烯的三維網(wǎng)絡。三維石墨烯具有體表面積大，導電性佳，質(zhì)量輕等特點。

簡介：Semiconductoranalogofgraphene:GrapheneoxidehasbeensynthesizedatourRamp;Dfacilitiesusingmodifiedrea...

簡介：維石墨烯網(wǎng)絡是在泡沫金屬基底上通過化學氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長成石墨烯的三維網(wǎng)絡。三維石墨烯具有體表面積大，導電性佳，質(zhì)量輕等特點。