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  紅外光學(xué)薄膜器件作為紅外系統(tǒng)重要組成部分, 已廣泛應(yīng)用于航空航天、國(guó)防、環(huán)保、分析儀器等各個(gè)領(lǐng)域. 在紅外光學(xué)應(yīng)用中, 由于鍺在2～14μm紅外波段內(nèi)有高而均勻的透過(guò)率, 是一種不可替代的優(yōu)良紅外光學(xué)材料. 鍺單晶切片加工成的鍺透鏡及鍺窗和利用鍺單晶透過(guò)紅外波長(zhǎng)特性制成的各種紅外光學(xué)部件廣泛用于各類紅外光學(xué)系統(tǒng).

    鍺作為常用的紅外光學(xué)元件材料, 具有折射率高、表面反射損失大以及表面易劃傷等特點(diǎn), 因此必須鍍制高性能紅外增透膜, 膜層強(qiáng)度差一直是一個(gè)難題, 其原因是膜層材料結(jié)構(gòu)疏松、易吸潮. 因此, 加工過(guò)程除了選擇好的膜料外, 還應(yīng)采用離子束輔助沉積技術(shù)來(lái)增強(qiáng)薄膜的強(qiáng)度. 紅外材料由于基片的本體吸收、散射和反射等因素導(dǎo)致紅外鏡片在各波段透過(guò)率受限, 應(yīng)用中需要減少反射率. 另外紅外鏡片的使用環(huán)境不同, 從而需要在基片表面進(jìn)行光學(xué)鍍膜, 如高溫高濕、鹽霧和風(fēng)沙等惡劣環(huán)境等, 導(dǎo)致鏡片需要通過(guò)鍍膜技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)各種應(yīng)用需求.

KRI 離子源在鍺基紅外鍍膜中的應(yīng)用

    紅外光學(xué)元件材料中的鍺基材料, 主要考慮8-14μm這一波段, 不鍍膜情況下鍺基材料的透過(guò)率只有40-50%, 而鍍了增透膜之后的透過(guò)率可以大大提高, 達(dá)到90%以上, 這樣可以減少鍺基材料表面的反射率, 提高產(chǎn)品的識(shí)別靈敏度和測(cè)溫距離. 而且多數(shù)客戶還會(huì)要求鍍DLC類金剛石碳膜, 用來(lái)加強(qiáng)鍺材料的硬度, 起到一定的防爆效果.

    經(jīng)過(guò)推薦客戶采用光學(xué)鍍膜機(jī)加裝美國(guó)進(jìn)口KRi 霍爾離子源 eH 400, 在膜層在穩(wěn)定性、附著力、致密度和牢固度等性能大幅度提高, 解決了環(huán)測(cè)膜層脫落問(wèn)題, 透過(guò)率大大提高, 大幅度提高膜層質(zhì)量, 達(dá)到客戶工藝要求.

     美國(guó) KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設(shè)計(jì), 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級(jí)的細(xì)微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以以納米精度來(lái)處理薄膜及表面, 多種型號(hào)滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計(jì)提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù). 霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源, 電子中和器, 電源供應(yīng)器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各類真空設(shè)備中, 例如鍍膜機(jī), load lock, 濺射系統(tǒng), 卷繞鍍膜機(jī)等.
 

      1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

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上海伯東: 羅小姐