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Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 用于蝕刻 KDP 晶體

來(lái)源：伯東企業(yè)（上海）有限公司 2023年01月04日 14:25

某廠商研發(fā)部門(mén)采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 用于蝕刻 KDP 晶體進(jìn)行拋光加工, 用以消除單點(diǎn)金剛石車削（SPDT）后 KDP 晶體表面留下的周期性小尺度波紋.

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 技術(shù)參數(shù)如下:

Ф4 inch X 6片	基板尺寸	< Ф3 inch X 8片 < Ф4 inch X 6片 < Ф8 inch X 1片
	樣品臺(tái)	樣品臺(tái)可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0-90度旋轉(zhuǎn)
	離子源	20cm 考夫曼離子源
	均勻性	±5% for 8”Ф
	硅片蝕刻率	20 nm/min
	溫度	<100

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 產(chǎn)品圖如上圖, 其主要構(gòu)件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼離子源, 觸摸屏控制面板, 真空腔體, 樣品臺(tái). 如下圖：

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國(guó) 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220.

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

離子源型號(hào)	RFICP 220
Discharge	RFICP 射頻
離子束流	>800 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V
柵極直徑	20 cm Φ
離子束	聚焦
流量	10-40 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長(zhǎng)度	30 cm
直徑	41 cm
中和器	LFN 2000

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 的樣品臺(tái)可以 0-90 度旋轉(zhuǎn), 實(shí)現(xiàn)樣品均勻地接受離子的轟擊, 進(jìn)而實(shí)現(xiàn)提高樣品的加工質(zhì)量.

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 配套的是伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700.

通過(guò)采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 刻蝕后, 單點(diǎn)金剛石車削后的表面由初始的6.54nm RMS, 經(jīng)過(guò) 1.76nm RMS 的平坦化層, 最終刻蝕轉(zhuǎn)移到 KDP 晶體表面得到 1.84nm RMS 的光滑表面.

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :

上海伯東 : 羅先生

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