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Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 用于蝕刻 KDP 晶體

來源：伯東企業(yè)（上海）有限公司 2023年01月04日 14:25

某廠商研發(fā)部門采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 用于蝕刻 KDP 晶體進(jìn)行拋光加工, 用以消除單點(diǎn)金剛石車削（SPDT）后 KDP 晶體表面留下的周期性小尺度波紋.

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 技術(shù)參數(shù)如下:

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 產(chǎn)品圖如上圖, 其主要構(gòu)件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼離子源, 觸摸屏控制面板, 真空腔體, 樣品臺(tái). 如下圖：

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220.

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 的樣品臺(tái)可以 0-90 度旋轉(zhuǎn), 實(shí)現(xiàn)樣品均勻地接受離子的轟擊, 進(jìn)而實(shí)現(xiàn)提高樣品的加工質(zhì)量.

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 配套的是伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700.

通過采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 刻蝕后, 單點(diǎn)金剛石車削后的表面由初始的6.54nm RMS, 經(jīng)過 1.76nm RMS 的平坦化層, 最終刻蝕轉(zhuǎn)移到 KDP 晶體表面得到 1.84nm RMS 的光滑表面.

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :

上海伯東 : 羅先生

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