特點

• 與普通CVD相比可以在低溫環(huán)境下進行氣相沉積實驗 
• 可以通過爐體滑動達到快速升溫和降溫
• 對于薄膜的應力可以通過射頻電源的頻率來進行控制 
• 通過工藝調(diào)節(jié)來控制化學計量 
• 可以沉積各種材料，如SiOx, SiNx, SiOxNy 和(a-Si:H) 等.

開啟式管式爐

• 輸入電源: 208 – 240V AC,功率： 1.2kW
• zui高工作溫度1200°C，小于60分鐘
• 爐膛保溫材料采用高純氧化鋁多晶纖維，并且內(nèi)爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層，可以提高加熱效率，反射率及延長儀器的使用壽命（點擊文字了解涂層的詳細參數(shù)）
• 連續(xù)工作溫度1100°C
• 爐管采用高純石英管：50mmOD x 44mmID x 1000mm L
• 可設(shè)置30段升降溫程序，并且?guī)в羞^熱和斷偶保護功能
• 加熱區(qū)長度：200mm 單溫區(qū). 
• 恒溫區(qū)2.3" (60mm)  (+/-1°C) @ 1000°C 注：由于測量手段及外部環(huán)境的影響，測量結(jié)果可能會有偏差，此參數(shù)僅供參考不作為該設(shè)備的技術(shù)指標。您購買產(chǎn)品需要準確的恒溫區(qū)數(shù)據(jù)，請與我公司銷售人員 
• 以下圖片顯示加熱區(qū)的溫度曲線圖         
  (點擊圖片查看詳細資料）

等離子體射頻電源

• 輸出功率:          5 -300W 可調(diào) 穩(wěn)定性± 1% 
• 射頻電源頻率:          13.56 MHz 穩(wěn)定性±0.005% 
• zui大反向功率:      200W 
• 匹配:  自動      
• 射頻電源電子輸出端口:        50 Ω, N型半導體, 陰極
• 噪音:                      <50 dB. 
• 冷卻:                風冷
• 電源 :                208-240VAC, 50/60Hz

真空法蘭和接頭

• 真空法蘭采用 304不銹鋼制作. 
• 左端法蘭上安裝有 KF-25真空接口，2個KF-25快速卸裝卡箍，KF-25直角閥，KF-25真空波紋管和1/4軟管接頭和不銹鋼針閥

真空泵及水冷機

• AC 220V 50 Hz  1/2HP  375W
• 2 Liter /S 
• 出氣端安裝有油霧過濾器（防止油霧擴散到空氣中，保護環(huán)境和人體健康）
• 真空度:  10-2 torr
• 可選水冷機
    

產(chǎn)品尺寸和重量

• 外形尺寸 1500mm x 600mm x 1200mm ( L x W x H)
• 凈重: 160kg

質(zhì)保期

一年質(zhì)保期，終身維護，（相關(guān)耗材除外，如爐管，密封圈等易耗件）

質(zhì)量認證

CE Certified

• 工作時需連接水冷設(shè)備
• 爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa
• 由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全
• 當爐體溫度高于1000℃時，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當，保持在常壓狀態(tài)
• 進入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊
• 石英管的長時間使用溫度＜1100℃
• 對于樣品加熱的實驗，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂，法蘭飛出等）