武漢普賽斯儀表分立器件來料檢測儀iv|cv曲線分析儀具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試，旨在幫助加快前沿材料研究、半導體芯片器件設計以及仙進工藝的開發(fā)，具有桌越的測量效率與可靠性

普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現(xiàn)功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。更多有關分立器件來料檢測儀iv|cv曲線分析儀詳情上普賽斯儀表咨詢

產品特點：

30μV-1200V；1pA-100A寬量程測試能力；

測量精度高，全量程下可達0.03%精度；

內置標準器件測試程序，直接調用測試簡便；

自動實時參數(shù)提取，數(shù)據繪圖、分析函數(shù)；

在CV和IV測量之間快速切換而無需重新布線；
提供靈活的夾具定制方案，兼容性強；

免費提供上位機軟件及SCPI指令集；

典型應用：

納米、柔性等材料特性分析；

二極管；

MOSFET、BJT、晶體管、IGBT；

第三代半導體材料/器件；

有機OFET器件；

LED、OLED、光電器件；

半導體電阻式等傳感器；

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管；

電阻率系數(shù)和霍爾效應測量；

太陽能電池；

非易失性存儲設備；

失效分析；

系統(tǒng)技術規(guī)格

訂貨信息

硬件指標-IV測試

半導體材料以及器件的參數(shù)表征，往往包括電特性參數(shù)測試。絕大多數(shù)半導體材料以及器件的參數(shù)測試，都包括電流-電壓(I-V)測量。源測量單元(SMU)，具有四象限，多量程，支持
四線測量等功能，可用于輸出與檢測高精度、微弱電信號，是半導體|-V特性測試的重要工具之-。SPA-6100配置有多種不同規(guī)格的SMU,如低壓直流SMU,低壓脈沖SMU,大電流SMU。用戶可根據測試需求靈活配置不同規(guī)格,以及不同數(shù)量的搭配，實現(xiàn)測試測試效率與開支的平衡。

靈活可定制化的夾具方案

針對市面上不同封裝類型的半導體器件產品,普賽斯提供整套夾具解決方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點，可
用于二極管、三極管、場效應晶體管、IGBT、SiC  MOS、GaN等單管，模組類產品的測試;也可與探針臺連接，實現(xiàn)晶圓級芯片
測試。

探針臺連接示意圖