全譜直讀等離子體發(fā)射光譜儀
OES全譜直讀光譜儀應(yīng)用CCD/CMOS光譜儀技術(shù), 廣泛應(yīng)用于冶金、鑄造、機械、汽車制造、航空航天、兵器、金屬加工等領(lǐng)域的生產(chǎn)工藝控制，爐前化驗，中心實驗室成品檢驗。
OES落地式全譜真空式直讀光譜儀體積小、穩(wěn)定性好、檢測限低、分析速度快、運行成本低、操作維護方便，是控制產(chǎn)品質(zhì)量的理想選擇。

全譜直讀等離子體發(fā)射光譜儀

OES直讀光譜儀介紹：

OES全譜真空型直讀光譜儀器優(yōu)勢：

1、CCD/CMOS全譜光譜儀制造技術(shù)（數(shù)字化技術(shù)替代老式體積龐大笨重的光電倍增電子管模擬技術(shù)）、通道不受限制 ；

2、國內(nèi)生產(chǎn)真空CCD/CMOS全譜技術(shù)光譜儀的制造商；

3、基體范圍內(nèi)通道改變、增加不需費用

4、升級多基體方便，無須變動增加硬件 ；

5、優(yōu)良的數(shù)據(jù)穩(wěn)定性，同一樣品不同的時間段分析，可獲得良好的數(shù)據(jù)一致性 ；

6、體積小、重量輕， 移動安裝方便 ；

7、高集成度、高可靠性、高穩(wěn)定性 ；

OES全譜真空型直讀光譜分析主要特點：

1、可測定包括痕量碳（C），磷（P）,硫（S）元素,適用于多種金屬基體，如：鐵基，鋁基，銅基，鎳基，鉻基，鈦基，鎂基，鋅基，錫基和鉛基。全譜技術(shù)覆蓋了全元素分析范圍，可根據(jù)客戶需要選擇通道元素；

2、分析速度快捷，20秒內(nèi)測完所有通道的元素成分。針對不同的分析材料，通過設(shè)置預(yù)燃時間及標(biāo)線，使儀器用短的時間達到優(yōu)的分析效果；

3、光學(xué)系統(tǒng)采用真空恒溫光室， 激發(fā)時產(chǎn)生的弧焰由透鏡直接導(dǎo)入真空光室，實現(xiàn)光路直通,消除了光路損耗，提高檢出限，測定結(jié)果準(zhǔn)確，重現(xiàn)性及長期穩(wěn)定性好；

4、特殊的光室結(jié)構(gòu)設(shè)計，使真空室容積更小；

5、自動光路校準(zhǔn)，光學(xué)系統(tǒng)自動進行譜線掃描，確保接收的正確性，免除繁瑣的波峰掃描工作。儀器自動識別特定譜線，與原存儲線進行對比，確定漂移位置，找出分析線當(dāng)前的像素位置進行測定；

6、開放式的電極架設(shè)計，可以調(diào)整的樣品夾，便于各種形狀和尺寸的樣品分析；

7、工作曲線采用國際標(biāo)樣，預(yù)做工作曲線，可根據(jù)需要延伸及擴展范圍，每條曲線由多達幾十塊標(biāo)樣激發(fā)生成，自動扣除干擾；

8、HEPS數(shù)字化固態(tài)光源，適應(yīng)各種不同材料 ；

9、固態(tài)吸附阱，防止油氣對光室的污染，提高長期運行穩(wěn)定性；

10、銅火花臺底座，提高散熱性及堅固性能；

11、合理的氬氣氣路設(shè)計，使樣品激發(fā)時氬氣沖洗時間縮短，為用戶節(jié)省氬氣；

12、采用鎢材料電極，電極使用壽命更長，并設(shè)計了電極自吹掃功能，清潔電極更加容易；

13、高性能DSP及ARM處理器，具有高速數(shù)據(jù)采集及控制功能并自動實時監(jiān)測光室溫度、真空度、氬氣壓力、光源、激發(fā)室等模塊 的運行狀況；

14、儀器與計算機之間采用以太網(wǎng)連接，抗干擾性能好，外部計算機升級與儀器配置無關(guān)，使儀器具有更好的適用性；

15、核心器件全部原裝，保證了儀器優(yōu)秀品質(zhì)。

OES全譜直讀光譜儀應(yīng)用CCD/CMOS光譜儀技術(shù), 廣泛應(yīng)用于冶金、鑄造、機械、汽車制造、航空航天、兵器、金屬加工等領(lǐng)域的生產(chǎn)工藝控制，爐前化驗，中心實驗室成品檢驗。

OES落地式全譜真空式直讀光譜儀體積小、穩(wěn)定性好、檢測限低、分析速度快、運行成本低、操作維護方便，是控制產(chǎn)品質(zhì)量的理想選擇。

全譜直讀等離子體發(fā)射光譜儀