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WH81單基涂層測厚儀

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WH81涂層測厚儀是一種便攜式單基(鐵基)測量儀,它能快速、無損傷、精密地進(jìn)行涂、鍍層厚度的測量

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WH81涂層測厚儀是一種便攜式單基(鐵基)測量儀,它能快速、無損傷、精密地進(jìn)行涂、鍍層厚度的測量。本儀器能廣泛地應(yīng)用在制造業(yè)、金屬加工業(yè)、化工業(yè)、商檢等檢測領(lǐng)域。是材料保護(hù)專業(yè)的儀器。當(dāng)然在實(shí)驗(yàn)室精密測量中也有使用,包括航空航天、科研開發(fā)等領(lǐng)域。

WH81單基涂層測厚儀的技術(shù)參數(shù)如下所示

測量范圍0-1250um
工作電源兩節(jié) 5 號(hào)電池
測量精度誤差零點(diǎn)校準(zhǔn) ±(1+3%H);二點(diǎn)校準(zhǔn)±【(1%~3%H)】H+1.5
環(huán)境溫度0-40℃
相對(duì)濕度≤85%
最小基體10*10mm
最小曲率凸:5mm;凹 :5mm
基體0.4mm
重量115 克(含電池)
尺寸110mm*65mm*30mm

WH81單基涂層測厚儀的產(chǎn)品特點(diǎn)

1、具有電源欠壓指示功能

2、操作過程有蜂鳴聲提示

3、能快速自動(dòng)識(shí)別鐵基體與非鐵基體

4、設(shè)有兩種關(guān)機(jī)方式:手動(dòng)關(guān)機(jī)方式和自動(dòng)關(guān)機(jī)方式;

5、有負(fù)數(shù)顯示功能,保證儀器在零位點(diǎn)的校準(zhǔn)準(zhǔn)確性;

6、采用了磁性測厚方法,適用導(dǎo)磁材料上的非導(dǎo)磁層厚度測量。導(dǎo)磁材料一般為:鋼、鐵、銀、鎳。

7、可采用單點(diǎn)校準(zhǔn)和兩點(diǎn)校準(zhǔn)兩種方法對(duì)儀器進(jìn)行校準(zhǔn),并可用基本校準(zhǔn)法對(duì)測量頭的系統(tǒng)誤差進(jìn)行修正,保證儀器在測量過程中儀器的準(zhǔn)確性;

WH81單基涂層測厚儀的使用說明

1)開機(jī)

按下 ON 鍵后儀器聽到一聲鳴響,自動(dòng)恢復(fù)上次關(guān)機(jī)前的參數(shù)設(shè)置后,將顯示0.0μm,儀器進(jìn)入待測狀態(tài)??蓽y量工件了。經(jīng)過一段時(shí)間不使用儀器將自動(dòng)關(guān)機(jī)。

2)關(guān)機(jī)

在無任何操作的情況下,大約 3分鐘后儀器自動(dòng)關(guān)機(jī)。按一下“ON”鍵,立即關(guān)機(jī)。

3)單位制式轉(zhuǎn)換(公制與英制轉(zhuǎn)換)

在待測狀態(tài)下,按μm/mil可轉(zhuǎn)換其測量單位。

4)測量

a)準(zhǔn)備好待測試件

b)是否需要校準(zhǔn)儀器,如果需要,選擇適當(dāng)?shù)男?zhǔn)方法進(jìn)行(參照 4 儀器校準(zhǔn))

c)迅速將測量頭與測試面垂直地接觸并輕壓測量頭定位套,隨著一聲鳴響,屏幕顯示測量值,儀器會(huì)自動(dòng)感應(yīng)被測基體:感應(yīng)到是磁性基體時(shí)儀器顯示 Fe感應(yīng)到是非磁性金屬時(shí)儀器顯示 NFe。測量時(shí)請(qǐng)始終保持儀器處于垂直狀態(tài)!提起測量頭可進(jìn)行下次測量;

WH81單基涂層測厚儀的校準(zhǔn)

為使測量準(zhǔn)確,應(yīng)在測量場所對(duì)儀器進(jìn)行校準(zhǔn)。

1 校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)片(包括箔和基體)

已知厚度的箔或已知覆蓋層厚度的試樣均可作為校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)片。簡稱標(biāo)準(zhǔn)片。

a) 校準(zhǔn)箔

對(duì)于磁性方法, “箔”是指非磁性金屬或非金屬的箔或墊片。對(duì)于渦流方法,通常采用塑料箔。 “箔”有利于曲面上的校準(zhǔn),而且比用有覆蓋層的標(biāo)準(zhǔn)片更合適。

b) 有覆蓋層的標(biāo)準(zhǔn)片

采用已知厚度的、均勻的、并與基體牢固結(jié)合的覆蓋層作為標(biāo)準(zhǔn)片。對(duì)于磁性方法,覆蓋層是非磁性的。對(duì)于渦流方法,覆蓋層是非導(dǎo)電的。

2 基體

a)對(duì)于磁性方法,標(biāo)準(zhǔn)片基體金屬的磁性和表面粗糙度,應(yīng)當(dāng)與待測試件基體金屬的磁性和表面粗糙度相似。對(duì)于渦流方法,標(biāo)準(zhǔn)片基體金屬的電性質(zhì),應(yīng)當(dāng)與待測試件基體金屬的電性質(zhì)相似。為了證實(shí)標(biāo)準(zhǔn)片的適用性,可用標(biāo)準(zhǔn)片的基體金屬與待測試件基體金屬上所測得的讀數(shù)進(jìn)行比較。

b) 如果待測試件的金屬基體厚度沒有超過表一中所規(guī)定的臨界厚度,可采用下面兩種方法進(jìn)行校準(zhǔn):

1) 在與待測試件的金屬基體厚度相同的金屬標(biāo)準(zhǔn)片上校準(zhǔn);

2) 用一足夠厚度的,電學(xué)性質(zhì)相似的金屬襯墊金屬標(biāo)準(zhǔn)片或試件,但必須使基體金屬與襯墊金屬之間無間隙。對(duì)兩面有覆蓋層的試件,不能采用襯墊法。

c) 如果待測覆蓋層的曲率已達(dá)到不能在平面上校準(zhǔn),則有覆蓋層的標(biāo)準(zhǔn)片的曲率或置于校準(zhǔn)箔下的基體金屬的曲率,應(yīng)與試樣的曲率相同。

3 校準(zhǔn)方法

本儀器有三種測量中使用校準(zhǔn)方法: 零點(diǎn)校準(zhǔn)、二點(diǎn)校準(zhǔn),還有一種針對(duì)測量頭的六點(diǎn)修正校準(zhǔn)。本儀器的校準(zhǔn)方法是非常簡單的。

3.1 零點(diǎn)校準(zhǔn)

a) 在基體上進(jìn)行一次測量,屏幕顯示<&times;.&times;&micro;m>。

b) 按 ZERO 鍵,屏顯<0.0>。校準(zhǔn)已完成,可以開始測量了。

c) 重復(fù)上述 a、b 步驟可獲得更為精確的零點(diǎn),高測量精度。零點(diǎn)校準(zhǔn)完成后就可進(jìn)行測量了。注:本儀器提供負(fù)數(shù)顯示,為用戶更方便的選擇零點(diǎn)。

3.2 二點(diǎn)校準(zhǔn)

這一校準(zhǔn)法適用于高精度測量及小工件、淬火鋼、合金鋼。

a) 先校零點(diǎn)(如上述)。

b) 在厚度大致等于預(yù)計(jì)的待測覆蓋層厚度的標(biāo)準(zhǔn)片上進(jìn)行一次測量,屏幕顯示<&times;&times;&times;&micro;m>。

c) 用▲、▲、鍵修正讀數(shù),使其達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)值。校準(zhǔn)已完成,可以開始測量。

注:在儀器校準(zhǔn)時(shí),單次按將跳動(dòng)一個(gè)數(shù),長按不松開,將連續(xù)跳動(dòng)要修正的值。

4 六點(diǎn)修正校準(zhǔn)

在下述情況下,改變基本校準(zhǔn)是有必要的:

測量頭頂端被磨損、新?lián)Q的測量頭、特殊的用途。

在測量中,如果誤差明顯地超出給定范圍,則應(yīng)對(duì)測量頭的特性重新進(jìn)行校準(zhǔn)稱為基本校準(zhǔn)。通過輸入 6 個(gè)校準(zhǔn)值(1 個(gè)零和 5 個(gè)厚度值),可重新校準(zhǔn)測量頭,具體操作方法如下:

a) 在儀器開啟的狀態(tài)下,按順序連續(xù)、快速按下以下按鈕,即可進(jìn)入六點(diǎn)修正校準(zhǔn);

b)先校零值。在六點(diǎn)修正校準(zhǔn)界面的個(gè)界面,測一下沒有任何涂層的基體,然后按 ZERO 鍵,屏幕中的 ADJ 顯示 0.0&micro;m,按 進(jìn)入下一點(diǎn)的校準(zhǔn);

c)校準(zhǔn)儀器自帶校準(zhǔn)片,把 50&micro;m 的放到基體上,測一下 50&micro;m 的厚度,測出來的(ADJ)數(shù)與校準(zhǔn)片的值不符按? ?調(diào)整到與校準(zhǔn)片的值一樣(如50&micro;m 測出來是 54&micro;m 按?調(diào)整到 50&micro;m), 然后按 進(jìn)入下一點(diǎn)校準(zhǔn),接著用相同的校準(zhǔn)方法依次校準(zhǔn) 100&mu;m、250&mu;m、500&mu;m、1000&mu;m 校準(zhǔn)膜片;

d)6 點(diǎn)數(shù)據(jù)調(diào)整完之后,會(huì)出現(xiàn)對(duì)話框詢問是否保存,按 確認(rèn)保存;

e)若使用其他膜片標(biāo)準(zhǔn),須按厚度增加的順序,一個(gè)厚度上可做多次。每個(gè)厚度應(yīng)至少是上一個(gè)厚度的 1.6 倍以上,理想情況是 2 倍。例如: 50、100、250、500、1000&mu;m。值應(yīng)該接近但低于測量頭的測量范圍;

注意: 每個(gè)厚度應(yīng)至少是上一個(gè)厚度的 1.6 倍以上,否則視為基本校準(zhǔn)失敗,后面一個(gè)點(diǎn)必須大于 500&mu;m



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