品牌：日立（Hitachi）    型號：SU9000      產(chǎn)地：Japan

二次電子圖象分辨率：0.4nm@30kV,1.2nm@1kV

放大倍數(shù)：220~8,000,000

儀器種類：場反射

加速電壓：0.5~30kV

日立高新超高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微鏡SU9000是專門為電子束敏感樣品和需300萬倍穩(wěn)定觀察的半導體器件，高分辨成像所設計。

全新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。

0.4nm / 30kV（SE）

1.2nm / 1kV（SE）

0.34nm / 30kV（STEM）

用改良的高真空性能和的電子束穩(wěn)定性來實現(xiàn)高效率截面觀察。

采用全新設計的Super E x B能量過濾技術(shù)，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。