追求理想的三維結構分析通過自動重復使用FIB制備截面和進行SEM觀察，采集一系列連續(xù)截面圖像，并重構特定微區(qū)的三維結構。采用的鏡筒布局，從材料、設備到生物組織——在寬廣的領域范圍內實現傳統(tǒng)機型難以企及的高精度三維結構分析。SEM鏡筒與FIB鏡筒互成直角，形成三維結構分析的鏡筒布局融合高亮度冷場發(fā)射電子槍與高靈敏度檢測系統(tǒng)，從磁性材料到生物組織——支持分析各種樣品通過選配口碑良好的Micro-sampling®系統(tǒng)*和Tripl...
追求理想的三維結構分析
通過自動重復使用FIB制備截面和進行SEM觀察，采集一系列連續(xù)截面圖像，并重構特定微區(qū)的三維結構。
采用的鏡筒布局，從材料、設備到生物組織——在寬廣的領域范圍內實現傳統(tǒng)機型難以企及的高精度三維結構分析。
SEM鏡筒與FIB鏡筒互成直角，形成三維結構分析的鏡筒布局
融合高亮度冷場發(fā)射電子槍與高靈敏度檢測系統(tǒng)，從磁性材料到生物組織——支持分析各種樣品
通過選配口碑良好的Micro-sampling®系統(tǒng)*和Triple Beam®系統(tǒng)*，可支持制作高品質TEM及原子探針樣品
| 項目 | 內容 | |
|---|---|---|
| SEM | 電子源 | 冷場場發(fā)射型 |
| 加速電壓 | 0.1 ～ 30 kV | |
| 分辨率 | 2.1 nm@1 kV | |
| 1.6 nm@15 kV | ||
| FIB | 離子源 | 鎵 |
| 加速電壓 | 0.5 ～ 30 kV | |
| 分辨率 | 4.0 nm@30 kV | |
| 束流 | 100 nA | |
| 標準探測器 | In-colum二次電子探測器/In-colum背散射電子探測器/ 樣品室二次電子探測器 | |
| 樣品臺 | X | 0 ～ 20 mm *2 |
| Y | 0 ～ 20 mm *2 | |
| Z | 0 ～ 20 mm *2 | |
| θ | 0 ～ 360° *2 | |
| τ | -25 ～ 45° *2 | |
| 樣品尺寸 | 正方形邊長6 mm × 厚度2 mm | |
*2：
根據樣品座不同，行程不同
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