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熱場式場發(fā)射掃描電鏡 SU5000

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概述
產(chǎn)品參數(shù)

高性能電子光學(xué)系統(tǒng)

  • 二次電子分辨率: 頂位二次電子探測器(2.0 nm at 1kV)＊

  • 高靈敏度: 高效PD-BSD, 的低加速電壓性能，低至100 V成像

  • 大束流(>200 nA): 便于高效微區(qū)分析

性能優(yōu)異

  • 壓力可變: 具有優(yōu)異的低真空(10 -300 Pa)成像性能，配備高靈敏度低真空探測器(UVD)＊

  • 開倉室快速簡單換樣(樣品尺寸: Φ 200 mm x 80 mmH)

  • 微區(qū)分析: EDS, WDS, EBSD等等

  • *：

  • 選配附件


產(chǎn)品參數(shù)
項目內(nèi)容
分辨率1.2 nm @ 30 kV
3.0 nm @ 1 kV
2.0 nm @ 1 kV 減速模式*1
3.0 nm @ 15 kV 低真空模式*2
放大倍率10 - 600,000× (底片倍率), 18 - 1,000,000× (800 × 600 像素)
30 - 1,500,000× (1,280 × 960 像素)
電子光學(xué)系統(tǒng)電子槍ZrO /W 肖特基式電子槍
加速電壓0.5 - 30 kV (0.1 kV 步進(jìn))
著陸電壓減速模式: 0.1 - 2.0 kV ＊1
束流> 200 nA
探測器低位二次電子探測器
低真空模式*2真空范圍: 10 - 300 Pa
馬達(dá)臺馬達(dá)臺控制5 - 軸自動 (優(yōu)中心)
可動范圍X：0～100mm
Y：0～50mm
Z：3～65mm
T：-20～90°
R：360°
樣品尺寸直徑: 200 mm
高度: 80 mm
選配探測器

  • 高分辨率頂位二次電子探測器＊1

  • 高靈敏度低真空探測器 (UVD)

  • 5分割半導(dǎo)體探測器 (PD-BSD)*3

  • 能譜儀 (EDS)

  • 波譜儀 (WDS)

  • 背散射電子衍射探測器 (EBSD)

  • *1：

  • 減速功能（包含高分辨率頂位二次電子探測器）

  • *2：

  • 低真空功能（包含5分割半導(dǎo)體探測器）

  • *3：

  • 空壓機(jī)(本地采購)



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