PMGI負光刻膠產品名稱：光刻膠型號：PMGI關鍵詞：MicroChem系列光刻膠PMGILOR負光刻膠使能高產，廣泛應用于在處理多種數據存儲和無線芯片到MEMS的金屬剝離

PMGI 負光刻膠

產品名稱：光刻膠

型號：PMGI

關鍵詞：MicroChem系列光刻膠

PMGI & LOR負光刻膠使能高產，廣泛應用于在處理多種數據存儲和無線芯片到MEMS的金屬剝離。PMGI & LOR負光刻膠作為雙疊層光刻膠，PMGI & LOR在超出單層防腐可以延長限制剝離處理。這包括非常高的分辨率的金屬化（＜0.25µM），以及非常厚（＞4µm）金屬化。這些的材料可幾乎滿足任何客戶需要。

材料用途：金屬電梯加工，橋制造，釋放層

材料屬性：

l 覆蓋在成像抗蝕劑不會混雜

l 在TMAH雙疊層一步發(fā)展，或KOH開發(fā)

l 高熱穩(wěn)定性：Tg ~190 C

l 快速清除和常規(guī)抗剝離干凈

l 0.25µm微米雙層抗蝕成像

l 產量高，可用于很厚（＞3µm）金屬剝離處理

Bi-Layer Lift-Off Process	Lift-Off: An enabling, additive lithographic process.
Step 1. LOR or PMGI is coated	1. Bi-layer resist pattern
Step 2. The imaging resist is coated onto the LOR or PMGI layer.	2. Metal Deposition
Step 3. The imaging resist is exposed.	3. Clean solvent lift-off
Step 4. The wafer is developed.
Step 5. Metal Deposition
Step 6. Lift-Off!