HZTEM-LP2多通道瞬變電磁儀
一、產(chǎn)品簡介
HZTEM-LP2多通道瞬變電磁儀，由3通道瞬變電磁儀主機(jī)和線圈組成。
利用瞬變電磁方法，探測(cè)地下介質(zhì)電阻率分布特征。儀器支持正交三分量或垂向淺中深綜合勘探，可用于城市管線調(diào)查、地質(zhì)構(gòu)造（巖溶、斷層、陷落柱）勘查、采空塌陷區(qū)探測(cè)、礦產(chǎn)資源勘探、地質(zhì)調(diào)查及填圖、水文與工程地質(zhì)勘察、地質(zhì)災(zāi)害及環(huán)境調(diào)查、隧道工程超前探測(cè)。
作為新一代智能物探裝備，具備物聯(lián)網(wǎng)接入及云計(jì)算功能，支持遠(yuǎn)程技術(shù)服務(wù)，可應(yīng)用于礦山、隧道、水利、地鐵等領(lǐng)域的隱患探查，也可用于資源勘探領(lǐng)域。
二、功能特點(diǎn)
1. 全程信號(hào)測(cè)量，全程記錄早期場至晚期場信號(hào)，以及激勵(lì)電流關(guān)斷沿波形。
2. 可擴(kuò)展多通道-多分量觀測(cè)，除電流通道外，可將常規(guī)電壓測(cè)量由單通道擴(kuò)展至三通道，配置相應(yīng)同步測(cè)深天線裝置或三分量天線/探頭，可實(shí)現(xiàn)瞬變場早期、晚期信號(hào)或Hx、Hy、Hz分量同步觀測(cè)。
3. 測(cè)量裝置，儀器可配置天線，因采用特殊的繞制方法和結(jié)構(gòu)形式，其具有電感弱、分布電容小、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、頻帶寬等諸多優(yōu)點(diǎn)，如可折疊式測(cè)量裝置、同步測(cè)深裝置、全空間異常方位識(shí)別裝置。
4. 探測(cè)精度高，24bit高速A/D及前置百萬倍程控增益，儀器有效分辨率達(dá)256dB，可以有效獲取瞬變場弱信號(hào)，淺層精細(xì)探測(cè)能力尤為突出。
5. 盲區(qū)范圍小，基于上述前三項(xiàng)功能特點(diǎn)，利用一次場及暫態(tài)過程校正算法，提取早期場中有效的二次場信號(hào)，并采用全程三維視電阻率反演算法，綜合獲取全程深度與視電阻率信息，可有效降低探測(cè)盲區(qū)。
6．軟件功能完備，配置兼具數(shù)據(jù)采集與處理的專業(yè)系統(tǒng)軟件，可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的采集、顯示、管理、對(duì)比、處理成像及判別分析，具有一鍵成圖功能。
7．操作簡便，智能化Android系統(tǒng)平臺(tái)、高清彩色觸摸屏及機(jī)械輔助按鍵、系統(tǒng)軟件人性化設(shè)計(jì)，確保人機(jī)交互更加便捷、儀器操作簡單易學(xué)。
三、主要技術(shù)參數(shù)
1. 主機(jī)系統(tǒng)
硬件平臺(tái) | 低功耗四核心處理器 | 軟件平臺(tái) | 嵌入式Android操作系統(tǒng) |
通訊接口 | RS485串口通訊、USB 2.0 以太網(wǎng)端口、可擴(kuò)展Wifi接口 | 顯 示 屏 | 10.1寸高清彩色IPS液晶屏 （分辨率1280*800） |
操作界面 | 人機(jī)交互界面，觸摸屏 +機(jī)械按鍵 | 存儲(chǔ)容量 | 32GB |
工作電源 | 鋰電池組，12.6V/6Ah | 工作時(shí)間 | ≥8H |
2. 發(fā)射-接收系統(tǒng)
發(fā)射電壓 | 5V | 發(fā)射電流 | 1-5A | 激勵(lì)波形 | 雙極性方波 |
發(fā)射頻率 | 2.5-1000Hz（可選） | 關(guān)斷時(shí)間 | ＜0.8μs | A/D轉(zhuǎn)換 | 24bit |
采樣頻率 | 1250kHz（可選） | 疊加次數(shù) | 0、16-2048（可選） | 測(cè) 道 數(shù) | 40-360（可選） |
采樣方式 | 全周期采樣 間歇期全程采樣 | 前置增益 | E0-E6，整體/分段增益、手置/定制方式 | 濾 波 器 | 5-125kHz低通數(shù)字濾波（可選） |
動(dòng)態(tài)范圍 | 258dB | 分辨電壓 | 0.6nV | 延遲時(shí)間 | ﹣2ms-2ms（可調(diào)） |
通 道 數(shù) | 電流通道、1-3電壓通道（可擴(kuò)展） | 工作電源 | 鋰電池組 16.8V/5Ah | 工作時(shí)間 | ≥8H |
3. 工作環(huán)境
工作溫度 | ﹣10℃-50℃ | 工作環(huán)境 | 允許在有瓦斯、煤塵的礦井中使用 |
四、應(yīng)用案例（某礦井下水倉探測(cè)）
實(shí)測(cè) 數(shù)據(jù) |
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測(cè)點(diǎn)-電壓剖面曲線 | 時(shí)間-電壓衰減曲線 |
探測(cè) 結(jié)果 說明：水倉位于深度方向40m左右，對(duì)應(yīng)探測(cè)圖中的低阻異常區(qū) |
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視電阻率擬斷面圖（橫向） | 視電阻率擬斷面圖（垂向） |
