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半導體晶圓PL光譜測試系統(tǒng)

參考價	￥ 0.01
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具體成交價以合同協(xié)議為準

公司名稱 北京卓立漢光儀器有限公司
品牌
型號
所在地 北京市
廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
更新時間 2024/5/10 10:50:59
訪問次數(shù) 225

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促銷詳細：

2020年01月08日至 2020年02月08日

特價促銷

模內(nèi)澆口分離自動化，降低對人的依賴度；傳統(tǒng)的塑膠模具開模后產(chǎn)品與澆口相連，需二道工序進行人工剪切分離，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開模前，消除后續(xù)工序，有利于生產(chǎn)自動化，降低對人的依賴。

產(chǎn)品簡介

我也要發(fā)布產(chǎn)品信息

半導體晶圓PL光譜測試系統(tǒng)針對第三代半導體，如GaN、InGaN、AlGaN等，進行溫度相關(guān)光譜和熒光壽命測試。同時可測量外延片的膜厚、反射率及相應的Mapping圖。

詳細信息在線詢價

面向半導體晶圓檢測的光譜測試系統(tǒng)

熒光測試

熒光光譜的峰值波長、光譜半寬、積分光強、峰強度、熒光壽命與電子/空穴多種形式的輻射復合相關(guān)，雜質(zhì)或缺陷濃度、組分等密切相關(guān)

膜厚&反射率&翹曲度

通過白光干涉技術(shù)測量外延片的薄膜厚度（Thickness）、反射率(PR)以及晶片翹曲度

熒光光譜

系統(tǒng)特點

面向半導體晶圓檢測的光譜測試系統(tǒng)

光路結(jié)構(gòu)示意圖

自動掃描臺：兼容2寸、4寸、8寸晶圓

可升級紫外測量模塊、翹曲度測量模塊

側(cè)面收集模組：用于AlGaN樣品（發(fā)光波段200-380 nm），因為AlGaN輕重空穴帶反轉(zhuǎn)使其熒光發(fā)光角度為側(cè)面出光，因此需要特殊設(shè)計的側(cè)面收光模塊。

翹曲度測量模塊

翹曲度測量模塊集成在顯微鏡模組中，利用晶圓表面反射回的375nm激光，利用離焦量補償實現(xiàn)表面高度的測量，對晶圓片的高度掃描后獲得晶圓形貌，從而計算翹曲度的數(shù)值。

該模塊不僅可以測量晶圓的形貌和翹曲度，同時還可以起到激光自動對焦的作用，使得晶圓片大范圍移動時，用于激發(fā)熒光的激光光斑在晶圓表面始終保持最佳的聚焦狀態(tài)，從而極大的提供熒光收集的效率和分辨率。

物鏡	5x NA=0.28	20x NA=0.40	100x NA=0.8
離焦量z分辨率	< 1 μm	< 0.5 μm	< 0.06 μm
激光光斑尺寸（焦點處）	~2 μm	~2 μm	~1 μm
測量時間（刷新頻率）	< 20 ms(50 Hz），可調(diào)節(jié)最高100 Hz

紫外測量模塊

紫外測量模塊的功能主要由集成在顯微鏡模組中的5x紫外物鏡和側(cè)面收集模塊實現(xiàn)?？蛇x擇213nm或266nm的激光進行激發(fā)，聚焦光斑約10微米，可選擇通過該物鏡收集正面發(fā)射的熒光，通過單色儀入口1進行收集和測量。

針對AlGaN的發(fā)光波段（200-380nm），尤其是Al組分較大（70%）的AlGaN由于輕重空穴帶反轉(zhuǎn)，其熒光發(fā)光角度為側(cè)面出光，因此設(shè)置側(cè)面收集模組，將側(cè)面發(fā)出的熒光通過一個單獨傾斜60度角的物鏡收集后，通過光纖傳入單色儀入口2進行收集和測量。

可通過翹曲度模塊對晶圓片形貌進行測量后，再進行紫外熒光測量時，根據(jù)記錄的形貌高度，Z軸移動實現(xiàn)晶圓片高度方向的離焦量補償，使得晶圓片大范圍移動時，激光光斑在晶圓表面始終保持最佳的聚焦狀態(tài)，從而極大的提供熒光收集的效率和分辨率。

軟件界面

晶圓Mapping軟件界面

數(shù)據(jù)分析軟件界面

應用案例

6英寸AlGaN晶圓測試

隨著AlGaN中Al所占比例的增加，可看到發(fā)光峰位出現(xiàn)了藍移，當Al的含量占到70%的時候，峰位已經(jīng)藍移至238nm。對AlGaN晶圓進行Al組分比例面掃描，可以看到晶圓中Al的組分分布情況。

MicroLED微區(qū)PL熒光光譜Mapping

MicroLED微盤，直徑40微米。圖（A）：熒光PL Mapping圖像，成像區(qū)域45×45微米；圖（B）：圖（A）所示紅線，m0-m11點，典型熒光光譜。

MicroLED微盤的熒光強度3D成像

2英寸綠光InGaN晶圓熒光光譜測試

從InGaN的峰強分布來看，在晶圓上峰強分布非常不均勻，強發(fā)光大約位于P2點附近，而有些位置幾乎不發(fā)光。發(fā)光峰位在500-530nm之間，分布也很不均勻。波長在510nm（P2位置）發(fā)光強。波長越靠近530nm（P1位置），發(fā)光越弱。

2英寸綠光InGaN晶圓熒光壽命測試

從以上熒光壽命成像得到，綠光InGaN熒光壽命在4ns-12ns之間。沿著P1-P3白線，熒光壽命減小。

從晶圓上分布看，熒光壽命與熒光強度成像的趨勢大致相符，而且峰位有明顯關(guān)聯(lián)。即沿著峰位藍移方向（藍移至500nm），熒光發(fā)光強度增強而且壽命增加，說明輻射復合占據(jù)主要比例。而沿著峰位紅移的方向（藍移至530nm），發(fā)光強度減弱，同時壽命減小，說明非輻射復合占據(jù)主要比例。

面向半導體晶圓檢測的光譜測試系統(tǒng)
性能參數(shù)：

熒光激發(fā)和收集模塊	激光波長	213/266/375 nm
	激光功率	213nm激光器，峰值功率＞2.5kw@1KHZ，266nm激光器，輸出功率2-12mw可調(diào)
	自動對焦	• 在全掃描范圍自動聚焦和實時表面跟蹤 • 對焦精度<0.2微米
	顯微鏡	•用于樣品定位和成像 •近紫外物鏡，100X/20X，用于375nm激光器,波長范圍355-700 nm •紫外物鏡, 5X,用于213 nm/266nm的紫外激發(fā), 200-700 nm
樣品移動和掃描平臺	平移臺	•掃描范圍大于300x300mm。 •最小分辨率1微米。
	樣品臺	•8寸吸氣臺（12寸可定制） •可兼容2、4、6、8寸晶圓片
光譜儀探測器	光譜儀	•320 mm焦長單色儀，可接面陣探測器。 •光譜分辨率：優(yōu)于0.2nm@1200g/mm
可升級模塊	翹曲度測量模塊	重復測量外延片統(tǒng)計結(jié)果的翹曲度偏差<±5um
	紫外測量模塊	5X紫外物鏡，波長范圍200-700 nm。應用于213 nm、266nm的紫外激發(fā)和側(cè)面收集實現(xiàn)AlGaN紫外熒光的測量
	膜厚測試模塊	重復測量外延片Mapping統(tǒng)計結(jié)果的膜厚偏差<±0.1um
	熒光壽命測試模塊	熒光壽命測試精度8 ps，測試范圍50 ps-1 ms
軟件	控制軟件	可選擇區(qū)域或點位自動進行逐點光譜采集
軟件	Mapping數(shù)據(jù)分析軟件	•可對光譜峰位、峰高、半高寬等進行擬合。 •可計算熒光壽命、薄膜厚度、翹曲度等。 •將擬合結(jié)果以二維圖像方式顯示。