半導體的摻雜濃度、缺陷能級位、界面態(tài)(俘獲界面)是研究半導體性質(zhì)的重要手段。此設備根據(jù)半導體P-N 結、金－半接觸結構肖特基結的瞬態(tài)電容（△C～t）技術和深能級瞬態(tài)譜（DLTS）的發(fā)射率窗技術測量出的深能級瞬態(tài)譜，是一種具有很高檢測靈敏度的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。通過對樣品的溫度掃描，可以給出表征半導體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS 譜。

特點：

• 自動接觸檢查

• 常規(guī)測試和加強軟件

• 自動電容補償

• 三終端FET電流瞬態(tài)測量

• 大電容和濃度范圍

• 靈活性高、模塊化硬件

• 支持各種冷卻倉和溫度控制器

• 傅里葉轉(zhuǎn)換（F-DLTS），比例窗口和用戶自定義校正功能

• DLTFS（深層瞬態(tài)傅里葉光譜儀）評價

操作模式：

• C-DLTS

• CC-DLTS

• I-DLTS

• DD-DLTS

• Zerbst-DLTS

• O-DLTS

• FET-Analysis

• MOS-Analysis

• ITS（等溫瞬態(tài)光譜儀）

• 缺陷分析

• 俘獲截面測量

• I/V, I/V(T)理查森標繪圖

• C/V, C/V(T)

• TSC/TSCAP

• PITS（光子誘導瞬態(tài)譜）

• DLOS(特殊系統(tǒng))

規(guī)格：

Options

• Constant Capacitance

• Optical Excitation

• Fast Pulse Interface

• ±100 V Option

• Multi Sample Interface