產(chǎn)品簡(jiǎn)介：NaI探測(cè)器905-4：探測(cè)器：3X3NaI(Tl)晶體接口形式：14-PinPMT能量響應(yīng)范圍：25keV3.5MeV能量分辨率：數(shù)字化譜儀DIGIBASE-E:前放、高壓與多道集成在14針管座內(nèi)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

NaI 探測(cè)器 905-4：

• 探測(cè)器：3”X3”NaI(Tl) 晶體
• 接口形式：14-Pin PMT
• 能量響應(yīng)范圍：25 keV – 3.5 MeV
• 能量分辨率：<7.5% （Cs137 的 661KeV 峰）

數(shù)字化譜儀 DIGIBASE-E:

• 前放、高壓與多道集成在 14 針管座內(nèi)；
• 含有數(shù)字化 MCA 和穩(wěn)譜器；
• 具有數(shù)字化自動(dòng)極零功能
• 由以太網(wǎng)接口供電并高速獲取數(shù)據(jù)，可方便地組成多探測(cè)器陣列系統(tǒng)
• 轉(zhuǎn)換增益：256 至 2048 道
• 增益：0.33-1.0，可自動(dòng)連續(xù)調(diào)整，以便更好的維持在期望位置上譜峰的質(zhì)心
• 積分非線性：＜±0.05% ；微分非線性：＜±1%
• 死時(shí)間校正：由 Gedcke-Hale 時(shí)鐘測(cè)定。校正精度：輸入計(jì)數(shù)率在 50kcps 以內(nèi)時(shí)，誤差＜5%
• 探測(cè)器電壓：0 到+1200 V dc，步長(zhǎng) 1.25 V。
• 零點(diǎn)漂移：<50 ppm 滿量程/°C；增益漂移：＜150 ppm/°C
• 成形時(shí)間：上升/下降時(shí)間：600ns-2μs；平頂時(shí)間：40ns-2μs
• 尺寸：≥60 mm 直徑×110 mm 長(zhǎng)
• 重量：360 g； 功耗：≤3 W