1、 設(shè)備組成以及主要功能
少子壽命測(cè)試儀WCT-120包括如下部分：
1）帶有渦電流感應(yīng)器的樣品臺(tái)，2）帶有紅外濾光片的程控閃光燈光源系統(tǒng)，3）內(nèi)置WCT-120軟件以及NI采集卡的電腦一套，4）用于信號(hào)傳輸?shù)男盘?hào)盒，5）程控的電源供應(yīng)器FPS-300，5）連接各個(gè)硬件的連接線(xiàn)等
Suns-Voc包括如下部分：
1） 放置樣品的測(cè)量臺(tái)，2）帶有中性濾光片的程控閃光燈，3）內(nèi)置WCT-120軟件以及NI采集卡的電腦一套（與WCT-120共用），4）用于信號(hào)傳輸?shù)男盘?hào)盒（與WCT-120共用）5）程控的電源供應(yīng)器FPS-300（與WCT-120共用），5）連接各個(gè)硬件的連接線(xiàn)等
少子壽命測(cè)試儀WCT-120&Suns-Voc（WCT-120的標(biāo)準(zhǔn)附屬設(shè)備）的主要功能
1）量測(cè)得到硅片樣品在注入濃度下的符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)PV13-0211的經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)后的復(fù)合少子壽命值即Tau@Δn
2） 量測(cè)得到硅片樣品的電阻率 Resistivity
3） 量測(cè)得到硅片樣品的陷阱密度Trap density
4） 量測(cè)得到硅片樣品發(fā)射極飽和電流密度J0
5） 量測(cè)得到硅片樣品在沒(méi)有做成太陽(yáng)能電池片之前估計(jì)在1個(gè)太陽(yáng)輻照度下的開(kāi)路電壓值One-Sun Voc
6） WCT-120可以搭配標(biāo)準(zhǔn)附件Suns-Voc一起使用，Suns-Voc可以量測(cè)形成PN結(jié)后的樣品在不同輻照強(qiáng)度下的開(kāi)路電壓值以及通過(guò)內(nèi)建模型計(jì)算出樣品的IV特性參數(shù)；Teff，FF等。同時(shí)可以通過(guò)計(jì)算獲得電池片的串聯(lián)電阻值Rs
2、 技術(shù)參數(shù)
2.1 WCT-120技術(shù)參數(shù)
1） 符合SEMI光伏產(chǎn)品少子壽命量測(cè)標(biāo)準(zhǔn)，SEMI PV13-0211標(biāo)準(zhǔn)：利用渦電流傳感器以非接觸測(cè)試方法量測(cè)硅片,硅塊，硅錠過(guò)剩載流子復(fù)合壽命
Test Method for Contactless Excess-Charge-Carrier Recombination Lifetime Measurement in Silicon Wafers, Ingots, and Bricks Using an Eddy-Current Sensor
2） 量測(cè)原理：利用渦電流法獲得硅片樣品在準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光脈沖下獲得的光電導(dǎo)（QSSPC）和瞬態(tài)光脈沖下獲得的光電導(dǎo)（TPC），并將量測(cè)得到的光電導(dǎo)利用載流子遷移率標(biāo)準(zhǔn)等式轉(zhuǎn)換成對(duì)應(yīng)的載流子濃度，并最終得到不同載流子濃度下對(duì)應(yīng)的硅片少子壽命值
3） 硅片少子壽命量測(cè)范圍：0.1us—10ms（在對(duì)應(yīng)的注入濃度（Δn）下）
4） 量測(cè)（分析）模式包括：準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)（QSSPC）， 瞬態(tài)（Transient），以及一般態(tài)（Generalized）三種分析模式三種
5） 量測(cè)電阻率范圍：3–600 (未摻雜樣品) Ohms/sq.
6） 可調(diào)光偏壓范圍：0-50suns
7） 經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)的注入濃度范圍：1013–1016 cm-3
8） 光源光譜：白光和紅外光
9） 光源波長(zhǎng)：>1000nm
10） 量測(cè)樣品感應(yīng)器大?。褐睆綖?/span>40mm
11） 感應(yīng)器感應(yīng)深度：3000um
12） 量測(cè)樣品大?。褐睆?/span>40-210mm；直徑更小的樣品也可以量測(cè)
13） 量測(cè)樣品厚度：10-2000um；其他厚度樣品也可以量測(cè)
14） 樣品的贗開(kāi)路電壓（Implied Voc）： 可以得到樣品在做成太陽(yáng)能電池片之前的贗開(kāi)路電壓（implied Voc）
15） 搭配Suns-Voc一起使用：可以搭配Suns-Voc一起使用，Suns-Voc作為WCT-120的附件。
16） A/D轉(zhuǎn)換器的分辨率：12bit 采樣率為5MS/s
17） 工作溫度：20℃-25℃
18） 設(shè)備尺寸：22.5 cm 寬 x 28 cm深 x 57 cm 高
19） 通用電源電壓：100-230VAC, 50/60Hz
20） 保質(zhì)期：一年保修所有硬件和軟件
2.2 Suns-voc技術(shù)參數(shù)
1） 量測(cè)得到樣品在開(kāi)路狀態(tài)下的贗電流電壓（implied IV）曲線(xiàn)：
2） 量測(cè)得到樣品在做成電池片之前獲知其本應(yīng)能夠得到的效率值，和填充因子。
3） 可以實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品進(jìn)行雙二極管模型分析，得到電池片的J01和J02。
4） 得到樣品的并聯(lián)電阻（shunt Resistance）電阻值，分析電池片的漏電狀況。
5） 經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)的光源的輻照范圍：0.006-6個(gè)suns
6） 量測(cè)樣品尺寸：為210mm
7） 夾具溫度可控制在25攝氏度
8） 工作溫度：18℃-25℃
9） 設(shè)備損耗功率：260W
10）設(shè)備尺寸：32 cm 寬 x 28.5 cm深 x 75 cm 高
11）量測(cè)原理：電池片工作在開(kāi)路狀態(tài)，通過(guò)量測(cè)探針直接量測(cè)電池片在不同服照度下的開(kāi)路電壓值，軟件內(nèi)建雙二極管模型回推得到J01，J01, Rshunt等參數(shù)，也可以通過(guò)計(jì)算得到電池片的少子壽命值，并可以去除電池片串聯(lián)電阻Rs的影響回推得到電池片在相應(yīng)制程下應(yīng)該得到的IV參數(shù)（效率，填充因子等）
3、WCT-120&Suns-voc設(shè)備應(yīng)用
1）監(jiān)測(cè)原始材料的質(zhì)量，對(duì)其進(jìn)行等級(jí)分類(lèi)。
2）檢測(cè)晶元重金屬含量處理
3）評(píng)估硅片表面和發(fā)射極摻雜擴(kuò)散
4）電池片制造工藝的監(jiān)控和優(yōu)化
5）提供太陽(yáng)能電池片在加工過(guò)程中能夠得到的IV參數(shù)
4、WCT-120&Suns-Voc組成清單
1）WCT-120樣品臺(tái)一個(gè)
2）含有紅外濾光片的WCT-120程控閃光燈光源系統(tǒng)一套
3）Suns-Voc樣品臺(tái)一個(gè)
4）帶有中性濾光片的Suns-Voc程控閃光燈光源系統(tǒng)一套
5）信號(hào)盒一個(gè)
6）帶有WCT-120和Suns-Voc軟件和NI數(shù)據(jù)采集卡的電腦一套
7）硬件連接線(xiàn)纜
8）電源供應(yīng)器一套
9）校準(zhǔn)套件 一套
