普賽斯功率半導(dǎo)體器件CV測(cè)試儀主要由源表、LCR 表、矩陣開(kāi)關(guān)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過(guò)矩陣開(kāi)關(guān)加載在待測(cè)件上，詳情上普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢

功率半導(dǎo)體器件CV測(cè)試儀優(yōu)勢(shì)

• 頻率范圍寬：頻率范圍10Hz~1MHz連續(xù)頻率點(diǎn)可調(diào)；

• 高精度、大動(dòng)態(tài)范圍：提供0V~3500V偏壓范圍，精度0.1%；

• 內(nèi)置CV測(cè)試：內(nèi)置自動(dòng)化CV測(cè)試軟件，包含C-V（電容- 電壓），C-T（電容- 時(shí)間），C-F（電容 - 頻率）等多項(xiàng)測(cè)試測(cè)試功能;

• 兼容IV測(cè)試：同時(shí)支持擊穿特性以及漏電流特性測(cè)試；

• 實(shí)時(shí)曲線繪制：軟件界面直觀展示項(xiàng)目測(cè)試數(shù)據(jù)及曲線，便于監(jiān)控；

• 擴(kuò)展性強(qiáng)：系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，可根據(jù)需求靈活搭配，更多詳情上“普賽斯儀表”官&網(wǎng) 

  基本參數(shù)

功率半導(dǎo)體器件CV測(cè)試儀典型配置

電容-電壓(C-V)測(cè)量廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOS CAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)的電容是外加電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡(jiǎn)稱C-V特性），C-V曲線測(cè)試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動(dòng)電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數(shù)。

系統(tǒng)方案

普賽斯半導(dǎo)體功率器件C-V測(cè)試系統(tǒng)主要由源表、LCR 表、矩陣開(kāi)關(guān)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過(guò)矩陣開(kāi)關(guān)加載在待測(cè)件上

進(jìn)行C-V 測(cè)量時(shí)，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時(shí)利用一個(gè)交流信號(hào)進(jìn)行測(cè)量。一般使用的交流信號(hào)頻率在10KHz 到1MHz   之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過(guò)程中測(cè)試待測(cè)器件待測(cè)器件的交流電壓和電流，從而計(jì)算出不同電壓下的電容值。