NIST SRM2842 半導(dǎo)體薄膜Alx鎵1-xAs外延層旨在用作測(cè)量薄膜成分的分析方法的參考標(biāo)準(zhǔn)，例如電子微探針?lè)治?(EMPA)、光致發(fā)光 (PL)、俄歇電子能譜 (AES) 和 X 射線光電子能譜（XPS）。

NIST SRM2842 半導(dǎo)體薄膜Alx鎵1-xAs外延層旨在用作測(cè)量薄膜成分的分析方法的參考標(biāo)準(zhǔn)，例如電子微探針?lè)治?(EMPA)、光致發(fā)光 (PL)、俄歇電子能譜 (AES) 和 X 射線光電子能譜（XPS）。

 SRM 2842 的一個(gè)單元由 AlxGa1-xAs 外延層組成，在安裝的砷化鎵 (GaAs) 襯底上生長(zhǎng)經(jīng)過(guò)認(rèn)證的 Al 摩爾分?jǐn)?shù) x使用膠帶粘貼到不銹鋼圓盤上。每個(gè)單元都密封在含有氮?dú)鈿夥盏木埘ケ∧ば欧庵?。正確使用 SRM 作為比較標(biāo)準(zhǔn)取決于分析方法（參見(jiàn)“測(cè)量條件和程序”和 NIST 特別出版物 260-163 [1]）。

操作、儲(chǔ)存和使用說(shuō)明

貯存和搬運(yùn)：

NIST SRM2842 半導(dǎo)體薄膜Alx鎵1-xAs外延層AlGaAs是一種穩(wěn)定的化學(xué)化合物，但在儲(chǔ)存和搬運(yùn)過(guò)程中，薄膜會(huì)受到表面污染和氧化。SRM應(yīng)儲(chǔ)存在無(wú)塵氮?dú)鈿夥栈蛘婵諟囟鹊陀?0°C的環(huán)境中?？諝庵械呐既晃廴驹诮佑|超過(guò)數(shù)千小時(shí)后才能被發(fā)現(xiàn)會(huì)產(chǎn)生重大污染。SRM應(yīng)由帶清潔非金屬纏繞器的金屬安裝盤處理，而不與半導(dǎo)體區(qū)域接觸。半導(dǎo)體表面的微粒污染可以用去離子水或干氮流去除，用戶必須確認(rèn)沒(méi)有引入額外的污染。用于將半導(dǎo)體安裝到不銹鋼圓盤上的附著帶可溶于異丙醇、丙酮和其他有機(jī)溶劑，這些溶劑的使用可能導(dǎo)致附著或膠帶顆粒遷移到試樣表面。分析中應(yīng)排除這些物質(zhì)表面的邊緣。

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