Mono-andMulti-crystallinewaferandbricklifetimemeasurementdevice應(yīng)用范圍：用于常規(guī)質(zhì)量控制、精密材料研發(fā)的單晶和多晶片及晶錠的壽命測(cè)量根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)PV9-1110的非接觸式和無(wú)損成像(PCD/MDP(QSS))、光電導(dǎo)性、電阻率和p/n檢查

Mono- and Multi-crystalline wafer and brick lifetime measurement device

應(yīng)用范圍：用于常規(guī)質(zhì)量控制、精密材料研發(fā)的單晶和多晶片及晶錠的壽命測(cè)量

 

 

根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)PV9-1110的非接觸式和無(wú)損成像(μPCD / MDP(QSS))、光電導(dǎo)性、電阻率和p/n檢查。

晶圓切割，爐內(nèi)監(jiān)控，材料優(yōu)化等。

日常壽命測(cè)量，質(zhì)量控制和檢驗(yàn) 

1. 產(chǎn)量：>240塊/天或>720片/天
2. 測(cè)量速度：對(duì)于156x156x400mm標(biāo)準(zhǔn)晶錠，<4分鐘
3. 生產(chǎn)改善：1mm切割標(biāo)準(zhǔn)為156x156x400mm標(biāo)準(zhǔn)晶錠
4. 質(zhì)量控制：用于過(guò)程和材料的質(zhì)量監(jiān)控，如單晶硅或多晶硅
5. 污染測(cè)定：起源于爐和設(shè)備的金屬(Fe)
6. 可靠性：模塊化和堅(jiān)固耐用的工業(yè)儀器，更高的可靠性和運(yùn)行時(shí)間> 99%
7. 可重復(fù)性:> 99.5%
8. 電阻率：不需要經(jīng)常校準(zhǔn)

精密材料研發(fā)

1. 陷阱濃度測(cè)定
2. 硼氧測(cè)定
3. 依賴于注入的測(cè)量等
   
4. 鐵濃度測(cè)定

特性

1. *無(wú)觸點(diǎn)無(wú)破壞的半導(dǎo)體特性
2. 特殊的“表面之下”壽命測(cè)量技術(shù)
3. 不可見(jiàn)缺陷的 靈敏度的可視化
4. 自動(dòng)切割標(biāo)準(zhǔn)定義
5. 空間分辨p/n電導(dǎo)型變換檢測(cè)