上海伯東代理美國(guó) 進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級(jí)款. 具有更大的柵極, 更堅(jiān)固, 可以配置自對(duì)準(zhǔn)第三層?xùn)艠O. 離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預(yù)清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮?dú)? 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 1

型號(hào)

KDC 40

供電

DC magnetic confinement

- 陰極燈絲

1

- 陽(yáng)極電壓

0-100V DC

電子束

OptiBeam™

- 柵極

專用, 自對(duì)準(zhǔn)

-柵極直徑

4 cm

中和器

燈絲

電源控制

KSC 1202

配置

-

- 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000

- 架構(gòu)

移動(dòng)或快速法蘭

- 高度

6.75'

- 直徑

3.5'

- 離子束

集中
平行
散設(shè)

-加工材料

金屬
電介質(zhì)
半導(dǎo)體

-工藝氣體

惰性
活性
混合

-安裝距離

6-18”

- 自動(dòng)控制

控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 40 應(yīng)用領(lǐng)域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

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