產(chǎn)品用途：此款CVD系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)真空淬火退火，快速降溫等工藝實驗。

產(chǎn)品用途：

此款CVD系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控

生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)真空淬火退火，快速降溫等工藝實驗。

產(chǎn)品組成：

CVD系統(tǒng)配置：

1.1200度開啟式真空管式爐（可選配多溫區(qū)）。

2.滑動系統(tǒng)分為手動、電動滑動，并配有風冷系統(tǒng)。

3.多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)

4.真空系統(tǒng)（可選配中真空或高真空）    

產(chǎn)品特點：

1 控制電路選用模糊PID程控技術(shù)，該技術(shù)控溫精度高，熱慣性小，溫度不過沖，性能可靠，操作簡單。

2 氣路快速連接法蘭結(jié)構(gòu)采用本公司*的知識產(chǎn)權(quán)設計,提高操作便捷性。

3 中真空系統(tǒng)具有真空度上下限自動控制功能，高真空系統(tǒng)采用高壓強，耐沖擊分子泵，防止意外漏氣造成分子泵損壞，延長系統(tǒng)使用壽命。

4 (電動)滑動系統(tǒng)采用溫度控制器自動控制爐體移動，等程序完成，爐體按設定的速度滑動，因有滑動限位功能爐體不會發(fā)生碰撞，待樣品露出爐體后，通過風冷系統(tǒng)快速降溫。