膜厚測量裝置UTS-2000
▼概要
膜厚測定裝置UTS-2000采用的分光分析技術(shù)，可以非接觸，非破壞高速而且高精度的測量基板膜，基板厚，雕刻殘余等的膜厚。 另外，使用標配的自動樣品臺可以分析電子元件內(nèi)的膜厚分布。另外，有豐富的配件，測量擴散層之類的基板和膜界面不明朗膜厚的波長擴張組件，測量Si中雜質(zhì)輕元素含量的透過測量系統(tǒng)，分析濃度的數(shù)據(jù)解析軟件等，也可以對應(yīng)膜厚測量之外的測量。另外，可以與自動搬送裝置組合，對應(yīng)產(chǎn)品研發(fā)到評價廣泛的需求。
◆特征
?可測量0.25～750μm的測量大范圍的膜厚（基板厚）
?采用高精度干渉計和高通量光學系統(tǒng)、可測量高準確度的膜厚數(shù)據(jù)。
?測量膜厚的必須條件?映射?膜厚計算的個條件可以作為菜單登陸管理
?可長波長擴張?？蓪?yīng)除去大氣噪音的真空裝置
?可測量Si 中的雜質(zhì)輕元素、以及電子元件的透過測量
?對應(yīng)自動搬送裝置（配件）


◆測量原理
膜厚測量裝置通過解析紅外區(qū)域的干涉光譜，非破壞?非接觸、高速而且高準確度計測膜厚。 通過計測可得到膜厚的周期干涉光譜。 干涉光譜由日本分光*的周波數(shù)解析法轉(zhuǎn)變?yōu)?的公式通過峰值高準確度的算出膜厚。

◆高計測再現(xiàn)性
下圖表示硅晶膜反復(fù)計測結(jié)果。反復(fù)計測10次的值如下、±0.001μm以下、 膜厚測量裝置具有很高的計測再現(xiàn)性。