20納米世代后的裝置對(duì)精度和工藝要求非常高，如雙重圖案和3D構(gòu)造，以及針對(duì)新材料相對(duì)應(yīng)的高精密度復(fù)雜制程要求，包含后道處理和形成保護(hù)膜等。為了對(duì)應(yīng)這類下一代器件工藝，半導(dǎo)體蝕刻裝置9000系列統(tǒng)一了接口并且能夠搭載高精度模塊化的各種腔室，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)器件的擴(kuò)展性和柔軟性的工藝。