簡介：

l*的第二代全譜光譜儀技術(shù)（數(shù)字化技術(shù)替代老式體積龐大笨重的光電倍增電子管模擬技術(shù)）、通道不再受限制

l引進(jìn)歐洲技術(shù)、國內(nèi)*能生產(chǎn)CCD全譜真空型光譜儀的制造商

l基體范圍內(nèi)通道改變、增加不需費(fèi)用

l可升級為其他基體，無須變動增加硬件

l優(yōu)良的數(shù)據(jù)穩(wěn)定性，同一樣品不同的時間段分析，可獲得良好的數(shù)據(jù)*性

l體積小、重量輕， 移動安裝方便

l高集成度、高可靠性、高穩(wěn)定性

l節(jié)電、節(jié)材、能耗只是普通光譜儀50%

光譜儀光學(xué)系統(tǒng)

l 帕邢-龍格結(jié)構(gòu)，羅蘭圓光學(xué)系統(tǒng)

l 羅蘭圓直徑：350mm

l 有效波長范圍：160 – 800 nm

l 探測器：多塊高性能線陣CCD

l 光室溫度：自動控制恒溫：34℃±0.5℃

l 像素分辨率：10pm

l 光柵刻線：3600 l/mm

l 一級光譜線色散率：1.2 nm/mm

l 外部入射窗口，方便清洗及更換

l 的漂移校正功能-得益于自動尋峰功能（精確度達(dá)到0.1像素）

l 的紫外波段靈敏度，得益于全新改良的真空技術(shù) 

數(shù)字等離子發(fā)生器

l 全數(shù)字等離子火花光源技術(shù)

l 高效得益于緊湊的設(shè)計(jì)和半導(dǎo)體控制技術(shù)

l 高能預(yù)燃技術(shù) (HEPS)

l 激發(fā)參數(shù)可通過用戶界面由用戶根據(jù)實(shí)際需求自定義進(jìn)行設(shè)置

l 頻率100 – 1000Hz

l 電流1-80A

l 調(diào)整參數(shù)可能需調(diào)整元器件 

優(yōu)化的樣品臺

l 開放式樣品臺設(shè)計(jì)，滿足大樣品測試要求

l 4mm樣品臺分析間隙

l “噴射電極”技術(shù)輕松應(yīng)對小樣品及復(fù)雜幾何形狀樣品

l 低氬氣消耗, 待機(jī)時:無須待機(jī)流量   

l 通用可調(diào)樣品適配器

l 不同基體可方便更換相應(yīng)火花臺

l 優(yōu)化的雜質(zhì)排出系統(tǒng)

l 牢固的銅制樣品臺散熱效果