真空快速退火爐AS-One是一種通用的RTP系統(tǒng)，可用于開發(fā)快速熱退火和快速熱CVD工藝。
真空快速退火爐AS-One可以搭配分子泵實(shí)現(xiàn)高真空下熱處理工藝。
溫度1500 ℃，升溫速率200℃/Second。
全程PC軟件控制升溫程序，保證溫度不過沖，控溫精度準(zhǔn)確。
應(yīng)用：
• RTA(快速熱退火)
• RTO(快速熱氧化)
• 歐姆接觸退火
• 植入退火
• 石墨烯和hBN的快速熱化學(xué)氣相沉積RTCVD
• 硒化，硫化
• 結(jié)晶和致密化
產(chǎn)品特點(diǎn)：
1、 紅外鹵素?zé)艄芗訜?，冷卻采用風(fēng)冷(低噪音水平，無(wú)需壓縮空氣)；
2、加熱由功率控制而非電壓控制，避免了由于燈絲老化電阻改變導(dǎo)致的后續(xù)使用中加熱不均的問題，保證了良好的重現(xiàn)性及均溫性，即使在后續(xù)使用過程中更換了部分新的燈管也可以達(dá)到初的熱處理效果；
3、石英腔體，腔體冷卻采用水冷，冷壁設(shè)計(jì)，雙層不銹鋼；
冷壁水冷技術(shù)優(yōu)點(diǎn)在于：1、無(wú)記憶，2、工藝重復(fù)性高，3、冷卻速度快；
4、反應(yīng)腔室的設(shè)計(jì)，氣體的進(jìn)入口設(shè)計(jì)在wafer的表面，避免在退火過程中冷點(diǎn)的產(chǎn)生。很好的保證了樣品在加熱過程中的均溫性；
5、快速數(shù)字PID控溫；
6、熱電偶配合高溫計(jì)控溫，測(cè)試樣品的溫度，控溫精準(zhǔn)；
7、大氣和真空工藝均適合，凈化氣體配針閥；
8、多5路工藝氣體，配數(shù)字質(zhì)量流量控制器；
9、電腦通過以太網(wǎng)連接更快的數(shù)據(jù)傳輸速度；
10、可選配石墨托盤表面涂SiC薄膜設(shè)計(jì)，用于小樣品測(cè)試；
11、可選配分子泵，用于高真空測(cè)試。
產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)配置及規(guī)格參數(shù)：
1、樣品大尺寸：AS-One100：4-inch；AS-One150 ：6-inch；
2、溫度范圍：AS-One100室溫~1250 ℃；(室溫~1500 ℃可選)
AS-One150室溫~1200 ℃；(室溫~1300 ℃可選)
3、升溫速率：AS-One100 ：0.1 ℃~250 ℃/s ；
AS-One150 ：0.1 ℃~200 ℃/s ；
4、溫度控制：快速數(shù)字PID控制；
5、熱電偶：2個(gè)K型熱電偶；
6、低溫高溫計(jì)溫度范圍：150℃~1100 ℃；
7、高溫高溫計(jì)溫度范圍：400℃~1500 ℃；
8、工藝氣體氣路配質(zhì)量流量計(jì)；
9、配置真空泵及真空規(guī)。
