| 參考價 | 面議 |
產品簡介：用于制備超導薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。廣泛應用于大專院校、科研院所進行薄膜材料的科研與小批量制備。與同類設備相比，其不僅應用廣泛，且具有體積小便于操作及清理方便的優(yōu)點,還具有蒸鍍速率快，電子束定位準確能量密度高，可以避免坩堝材料的污染等特點。
產品型號 | GSL-ZDDZS-500電子束蒸鍍 | ||
安裝條件 | 本設備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：設備配有自循環(huán)冷卻水機，水溫小于25℃，水壓0.25-0.4Mpa，流量高于12 l/min（加注純凈水或者去離子水）； 2、電：AC380V 50Hz，功率大于10KW，波動范圍：小于±6％，必須有良好接地（對地電阻小于2Ω）； 3、氣：設備腔室內需充注氮/氬氣（純度99.99%以上），需自備氮/氬氣氣瓶（自帶Ø10mm雙卡套接頭）及減壓閥 4、場地面積：設備尺寸2000mm×2000mm，承重1000kg以上 5、通風裝置：需要（外排廢氣管道）； | ||
主要特點 | 1、由于電子束定位準確能量很高，可蒸發(fā)難熔金屬或化合物，蒸發(fā)速率快； 2、體積小，操作簡便可以非常容易的放置材料和清理； 3、蒸發(fā)材料放置在水冷銅坩堝中，可避免坩堝材料的污染，制備高純薄膜； 4、由于蒸發(fā)物面積小，因而熱輻射損失小，熱效率高； | ||
技術參數(shù) | 1、極限真空度：≤6.67x10-5 Pa (經烘烤除氣后)； 2、系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S； 3、系統(tǒng)短時間暴露大氣并充干燥氮氣后，再開始抽氣，45分鐘可達到6.6x10-4 Pa； | ||
基片參數(shù) | 1、基片尺寸：可放置φ4″基片（帶手動擋板）； 2、基片加熱溫度 800℃±1℃，由熱電偶閉環(huán)反饋控制； 3、基片可連續(xù)回轉，轉速5～60轉/分； 4、基片與蒸發(fā)源之間距離300～350mm可調； | ||
電子束蒸發(fā)源參數(shù) | 1、E型電子槍，陽極電壓6KV、8KV； | ||
真空腔體 | 1、U型真空室尺寸Ф500X600mm，選用優(yōu)質不銹鋼材料制造，氬弧焊接，表面進行特殊工藝拋光處理，接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封； 2、真空腔體前開門鉸鏈結構，方便取、放樣品； 3、前開門設有兩個觀察窗接口，可以觀察電子槍和基片； 4、設備預留膜厚儀接口，可選配膜厚儀； 5、高真空分子泵機組，閘板閥隔斷（也可使用高真空擋板閥）； | ||
產品規(guī)格 | 整機尺寸：1800mm×1200mm×2000mm； | ||
標準配件 | 1 | 電源控制系統(tǒng) | 1套 |
2 | 真空獲得機組 | 1套 | |
3 | 真空測量 | 1套 | |
4 | 電子槍 | 1套 | |
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