MWFT-3薄膜鉑熱電阻作為新一代的溫度測(cè)量和調(diào)節(jié)傳感器，通常用來(lái)和顯示儀表等配套，以直接測(cè)量各種生產(chǎn)過(guò)程中-79℃～600℃范圍內(nèi)液體，蒸汽和氣體介質(zhì)及固定表面等溫度，應(yīng)符合JB/T8622-1997標(biāo)準(zhǔn)。
結(jié)構(gòu)原理
原理：熱電阻是利用物質(zhì)在溫度變化時(shí)，其本身電阻也隨著溫度發(fā)生變化的特性來(lái)測(cè)量溫度的。熱電阻的受部部分（感溫元件）是以硅片作基體；采用*的濺射、光刻激光調(diào)阻等工藝手段，來(lái)實(shí)現(xiàn)鉑
上海自動(dòng)化儀表三廠MWFT-3薄膜鉑熱電阻概述
MWFT-3薄膜鉑熱電阻作為新一代的溫度測(cè)量和調(diào)節(jié)傳感器，通常用來(lái)和顯示儀表等配套，以直接測(cè)量各種生產(chǎn)過(guò)程中-79℃～600℃范圍內(nèi)液體，蒸汽和氣體介質(zhì)及固定表面等溫度，應(yīng)符合JB/T8622-1997標(biāo)準(zhǔn)。
結(jié)構(gòu)原理
原理：熱電阻是利用物質(zhì)在溫度變化時(shí)，其本身電阻也隨著溫度發(fā)生變化的特性來(lái)測(cè)量溫度的。熱電阻的受部部分（感溫元件）是以硅片作基體；采用*的濺射、光刻激光調(diào)阻等工藝手段，來(lái)實(shí)現(xiàn)鉑
技術(shù)參數(shù)
主要技術(shù)指標(biāo)
熱電阻感溫元件在0℃的電阻值（R0）
分度號(hào)Pt100 B級(jí) R0=100±0.12Ω
鉑熱電阻的電阻與溫度關(guān)系一般可用以下關(guān)系表示：在-79～0℃范圍內(nèi)
Rt=R0｛1+At+Bt2+C(t-100℃)t3｝
Rt=R0(1+At+Bt2)
Rt 為t℃時(shí)熱電阻的電阻值（Ω）
式中的R0為0℃時(shí)熱電阻的電阻值（Ω）
t為被測(cè)介質(zhì)溫度（℃）
A、B、C等均為有關(guān)的分度常數(shù)
溫度范圍和準(zhǔn)確度
熱電阻類(lèi)別 | 分度號(hào) | 精度等級(jí) | 測(cè)溫范圍℃ | 允許偏差△t |
WZP型薄膜鉑熱電阻 | Pt100 | B級(jí) | -79～600 | ±（0.3 +0.005︱t︱） |
注：1）式中“t”為感溫元件實(shí)測(cè)溫度jue對(duì)值（℃）。
2）實(shí)際適用溫度須根據(jù)具體情況而定。
自然影響：通過(guò)熱電阻中的測(cè)量電流為2mA，測(cè)得的電阻增量換算成溫度值應(yīng)不大于0.3℃。
熱響應(yīng)時(shí)間。
當(dāng)被測(cè)介質(zhì)（一定溫度和規(guī)定流速的水）溫度出現(xiàn)隊(duì)躍變化時(shí)，熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%所需的時(shí)間，用了T0.5表示。
公稱(chēng)壓力S
系指在室溫下保護(hù)管所承受的靜態(tài)外壓而不破損，測(cè)溫性能不受其影響。
絕緣電阻
當(dāng)周?chē)諝鉁囟葹?5～35℃和相對(duì)濕度不大于80%時(shí)，熱電阻感溫元件和保護(hù)管之間以及雙支感溫元件之間的絕緣電阻，應(yīng)不小于100MΩ（電壓10～100V）。
小可置入深度
一般應(yīng)不小于其保護(hù)管外徑的15倍，再加上感溫元件的長(zhǎng)度。
型號(hào)和規(guī)格
型 號(hào) | 尺寸mm | 0℃標(biāo)稱(chēng)電阻 | 測(cè)溫范圍℃ |
d | b | w | l | φ |
MWFT-1 | 0.5 | 4 | 2 | 8 | 0.2 | 100Ω | -79～100 |
MWFT-2 | 0.5 | 10 | 3 | 10 | 0.2 | 100Ω | -79～500 |
MWFT-3 | 0.5 | 15 | 3 | 10 | 0.25 | 100Ω | -79～600 |
注：可根據(jù)用戶(hù)的要求加工其它外型廠寸和0℃標(biāo)稱(chēng)電阻值。
