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PHI 5000 Versaprobe III PHI 5000 Versaprobe多功能型掃描XPS微探針

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱(chēng) 高德英特（北京）科技有限公司
品牌
型號(hào) PHI5000VersaprobeIII
所在地 北京市
廠商性質(zhì) 經(jīng)銷(xiāo)商
更新時(shí)間 2019/10/23 16:12:20
訪問(wèn)次數(shù) 515

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2020年01月08日至 2020年02月08日

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模內(nèi)澆口分離自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴(lài)度；傳統(tǒng)的塑膠模具開(kāi)模后產(chǎn)品與澆口相連，需二道工序進(jìn)行人工剪切分離，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開(kāi)模前，消除后續(xù)工序，有利于生產(chǎn)自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴(lài)。

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PHI 5000 Versaprobe多功能型掃描XPS微探針是PHI掃描XPS微探針設(shè)備全新產(chǎn)品,應(yīng)用了PHI業(yè)界*的專(zhuān)屬掃描X-射線技術(shù)和專(zhuān)屬雙束中和技術(shù)，成為更高水平的多功能分析儀器。

詳細(xì)信息在線詢(xún)價(jià)

PHI 5000 Versaprobe多功能型掃描XPS微探針全新技術(shù)：

新的分析器輸入透鏡,將靈敏度提高了兩到三倍。
新的多通道探測(cè)器使得元素和化學(xué)態(tài)成像速度更快。
新的變角分析技術(shù)（ADXPS）收集角可達(dá)+/-5°,改善深度分辨率。
冷熱樣品臺(tái)的溫度范圍得到提高,-140℃到+600℃。
新的加熱樣品托可加熱至800℃。
新的四點(diǎn)電觸式冷熱樣品臺(tái)可對(duì)樣品進(jìn)行原位通電和加熱冷卻實(shí)驗(yàn)。
新設(shè)計(jì)的紫外光電子能譜UPS可自動(dòng)點(diǎn)火和輸送氣體。
經(jīng)過(guò)改善的俄歇SAM技術(shù)提供了更高的靈敏度和更好的信噪比，可同時(shí)進(jìn)行REELS分析。

原位低能反光電子能譜 (LEIPS) 可在較低電子能量下（對(duì)材料無(wú)損傷）測(cè)試樣品的導(dǎo)帶信息。

PHI5000 Versaprobe III主要特征和功能：

微聚焦的掃描X射線束可應(yīng)對(duì)從微區(qū)到大面積的分析需求。
高可靠全自動(dòng)分析能力,可實(shí)現(xiàn)無(wú)人值守式隊(duì)列分析。
微區(qū)成像和圖譜采集,可同時(shí)高效對(duì)多個(gè)微區(qū)進(jìn)行對(duì)比分析。
濺射深度剖析,可分析膜層結(jié)構(gòu)和成分深度變化。
多種技術(shù)聯(lián)用的超高真空分析腔室,可擴(kuò)展UPS、IPES、AES、C60、GCIB等多種技術(shù)。
智能用戶(hù)操作界面（SmartSoft-VersaProbe）。
數(shù)據(jù)處理軟件(MultiPak)。

微聚焦的掃描X射線源

掃描聚集X-射線技術(shù)是Versaprobe III的核心技術(shù),也是PHI公司的*技術(shù)。單色、掃描、聚集X-射線源可以更好地分析微觀及宏觀區(qū)域,全部的X射線設(shè)定（包括束斑直徑小于10μm的設(shè)定）都能用于采譜分析,深度剖析和影像分析。具體表現(xiàn)如下：

微聚焦的掃描X射線束。
X射線束用于二次電子成像。
XPS成分影像的每個(gè)像素點(diǎn)都可用于化學(xué)分析。
單點(diǎn)或多點(diǎn)采譜分析。
單點(diǎn)或多點(diǎn)薄膜分析。

分析
1. 鼠標(biāo)點(diǎn)擊定義分析區(qū)域。
2. 強(qiáng)大的Z軸自動(dòng)校準(zhǔn)功能。
3. 一鍵雙束中和功能。
4. 在自動(dòng)分析隊(duì)列中,無(wú)須樣品導(dǎo)電性。

：一鍵中和

XPS可以分析所有固體材料表面的成分和化學(xué)態(tài),包括導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣材料,但對(duì)絕緣體分析時(shí)需要進(jìn)行電荷補(bǔ)償。VersaProbeIII采用低能電子束和離子束雙束源同時(shí)對(duì)樣品表面進(jìn)行電荷補(bǔ)償,該技術(shù)只需一鍵開(kāi)啟,實(shí)現(xiàn)從導(dǎo)體到絕緣體的自動(dòng)分析。

定位功能更加容易實(shí)現(xiàn)：

SmartSoft將實(shí)時(shí)的數(shù)據(jù)（如導(dǎo)航圖、SXI、在線CCD）和測(cè)得的數(shù)據(jù)（如圖譜、深度剖析和化學(xué) 態(tài)分布像）在同一個(gè)界面上顯示,只需在導(dǎo)航圖上一個(gè)位置,樣品臺(tái)就會(huì)移動(dòng)到該位置。另外,通過(guò)AutoZ和SXI,可更加精確的定位所要分析的位置。一鍵中和和自動(dòng)高度聚焦（AutoZ）功能保證了自動(dòng)分析的精確性,提高了分析效率,分析結(jié)果重復(fù)性很高。

深度剖析的優(yōu)勢(shì)：

優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；

微聚焦X射線束；

靈敏度更高的分析器；

高效的離子槍?zhuān)?/span>

*的雙束中和功能；

帶Zalar Rotation™功能的樣品臺(tái)；

微區(qū)的深度剖析功能；

多點(diǎn)的深度剖析功能。

1、無(wú)機(jī)物深度剖析：離子槍的工作電壓在0-5KeV范圍內(nèi)可調(diào)。配有低電壓的浮動(dòng)電位,可用于超薄薄膜的深度分析。*設(shè)計(jì)的槍體彎曲結(jié)構(gòu)可自動(dòng)屏蔽中性的氬原子。

2、有機(jī)物深度剖析：可選配10kV或者20kV的C60離子槍,也可選用20kV的GCIB（氣體團(tuán)簇離子槍?zhuān)┯糜?nbsp; 有機(jī)物的深度剖析。GCIB的特點(diǎn)是可以選擇特定質(zhì)量的團(tuán)簇離子源,并且能過(guò)濾中性的粒子。

PHI公司的VersaProbe III不但在微區(qū)XPS分析方面將靈敏度提高了3倍,而且通過(guò)變角分析模式和低能氬離子濺射使XPS的深度分辨率達(dá)到極限。如下圖所示,在傳統(tǒng)的分析中,其中光電子被收集的角度范圍為+/-20°,使得它難以分析外層表面。在新的變角分析模式下，+/- 5°窄角收集范圍可允許探測(cè)外層淺表面的成分信息。與此同時(shí)，全新引進(jìn)的Ar-GCIB可以將離子束能量降低到1keV用于深度剖析。

團(tuán)簇離子槍低能量濺射用于高分辨率的深度分析,如下圖所示,樣品為氧化劑,該譜圖表明C和O均存在與C₇₃H₁₀₇O₁₂和C₃₃H₄₆N₃O₅中,但是N僅存在于C₇₃H₁₀₇O₁₂中,在譜圖中，N元素的分布明顯是不均勻的,這得益于團(tuán)簇離子槍的高深度分辨率。

SmartSoft-VersaProbe 軟件
簡(jiǎn)單易學(xué)的流程操作界面,對(duì)任何操作者來(lái)說(shuō)都易于使用,讓操作效率更高。
1. 直觀的用戶(hù)界面。
2. 流程設(shè)計(jì)引導(dǎo)您完成整個(gè)分析過(guò)程。
3. 集成樣品托移動(dòng)功能。
4. 在保存的圖像上定義分析區(qū)域。
5. 直觀的分析任務(wù)列表。
6. 單圖上實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)分析和深度剖析功能。
7. 集成所有選配件的操控。

MultiPak 數(shù)據(jù)處理軟件
數(shù)據(jù)處理軟件集成AES和XPS數(shù)據(jù)庫(kù)：
軟件擁有較全面的能譜數(shù)據(jù)庫(kù)。采譜分析、線掃描分析、成像和深度剖析的數(shù)據(jù)都能用MultiPak來(lái)處理。它強(qiáng)大的功能包括峰的定位，化學(xué)態(tài)信息的提取，定量測(cè)試，檢測(cè)限的增強(qiáng)等。MultiPak能在設(shè)備自帶的電腦上直接實(shí)時(shí)的處理數(shù)據(jù)生成報(bào)告，也能安裝在其他電腦上,處理數(shù)據(jù)生成報(bào)告。
1. 自動(dòng)譜峰識(shí)別。
2. XPS化學(xué)態(tài)數(shù)據(jù)庫(kù)。
3. XPS譜圖去卷積。
4. 定量分析。
5. 非線性小二乘法擬合。
6. 線性小二乘法擬合。
7. 目標(biāo)因子分析法。
8. 化學(xué)成像分析。
9. 批量數(shù)據(jù)處理。

VP-III 多功能的技術(shù)集成平臺(tái)：根據(jù)研發(fā)的需要,以下是 VP-III 的可選擇的配置。

1. 掃描X射線源（標(biāo)配）；

2.進(jìn)樣室（可選配相機(jī)）；

3.離子槍?zhuān)?biāo)配）；

4. 能量分析器（標(biāo)配）；

5.CCD相機(jī)（標(biāo)配）；

6a. 標(biāo)準(zhǔn)五軸樣品臺(tái)（可選配帶加熱冷卻功能的五軸樣品臺(tái)）；

6b. 液氮罐（與6a選配配合使用）

7. 樣品預(yù)處理室（選配）；

8. C₆₀離子槍?zhuān)ㄟx配）；

9.紫外光源UPS（選配）；

10.雙陽(yáng)極，非單色X射線源（選配）、LEIPS 低能反光電子能譜（選配）；

11.AES電子槍?zhuān)ㄟx配）；

12.20kV團(tuán)簇離子槍?zhuān)ㄟx配）。

應(yīng)用領(lǐng)域：包括表面的元素與化學(xué)態(tài)分析（氫和氦除外）
固體材料或產(chǎn)品表面的元素成分和化學(xué)態(tài)的定性和定量表征,包括有機(jī)和無(wú)機(jī)材料,導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。
解析薄膜中的組成元素和化學(xué)態(tài)以及分布情況,包括半導(dǎo)體、薄膜結(jié)構(gòu)、磁介質(zhì)薄膜、光學(xué)鍍膜、裝飾涂料和耐磨涂層等。
容易受到電子束破壞的樣品成分分析。
能源環(huán)境、生物醫(yī)藥、聚合物（涂料、油脂、膠水、染料、橡膠、塑料等）、無(wú)機(jī)半導(dǎo)體和有機(jī)半導(dǎo)體如OLED, OPV等催化材料、硅酸鹽陶瓷、金屬合金、氧化物等材料分析。