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超高真空電子束蒸鍍設(shè)備 UHV E-beam Evaporation System
超高真空環(huán)境的特征為其真空壓力低于 10-8至10-12 Torr, 在化學(xué)物理和工程領(lǐng)域十分常見. 超高真空環(huán)境對于科學(xué)研究非常重要, 因?yàn)閷?shí)驗(yàn)通常要求, 在整個(gè)實(shí)驗(yàn)過程中, 表面應(yīng)保持無污染狀態(tài)和使用較低能量的電子和離子的實(shí)驗(yàn)技術(shù)的使用, 而不會受到氣相散射的過度干擾. 在這樣超高真空環(huán)境下使用電子束蒸鍍,
上海伯東代理 SYSKEY 中國臺灣矽碁科技超高真空電子束蒸鍍設(shè)備腔體極限真空度約為 10-10Torr, 針對超高真空和高溫加熱設(shè)計(jì)基板旋轉(zhuǎn)鍍膜機(jī)構(gòu), 使用陶瓷培林旋轉(zhuǎn), 并在內(nèi)部做水冷循環(huán)來保護(hù)機(jī)構(gòu)以確保長時(shí)間運(yùn)轉(zhuǎn)的穩(wěn)定性, 可以提供高質(zhì)量的薄膜, 薄膜均勻度小于 ±3％.
超高真空電子束蒸鍍配置和優(yōu)點(diǎn)
客制化的基板尺寸, 直徑可達(dá) 8吋晶圓
薄膜均勻度小于 ±3％
具有水冷坩堝的多組坩鍋旋轉(zhuǎn)電子束源 (1/2/4/6坩堝）
自動鍍膜系統(tǒng)
具有順序操作或共沉積的多個(gè)電子束源
基板具有冷卻 ( 液態(tài)氮溫度低至-70°C ) 或加熱 ( 溫度800°C ) 等功能
電子束蒸鍍設(shè)備基本參數(shù)
系統(tǒng) | Real 超高真空 | 超高真空 | 高真空 |
極限真空 | 5X10-10 Torr | 5X10-9 Torr | 3X10-7 Torr |
腔室密封 | 全部 CF | 一些密封圈 | 全部密封圈 |
Load-lock | 標(biāo)準(zhǔn) | 標(biāo)準(zhǔn) | 可選 |
E-beam 源 | 4-6 坩堝 7-25 cc | 4-6 坩堝 7-25 cc | 4-6 坩堝 7-25 cc |
基板 | 4-8 英寸 加熱 / 水冷 / 液氮冷卻 | 4-8 英寸 加熱 / 水冷 / 液氮冷卻 | 4-8 英寸 加熱 / 水冷 / 液氮冷卻 |
真空泵 | 低溫泵 | 低溫泵 / 分子泵 | 低溫泵 / 分子泵 |
監(jiān)控 | 真空規(guī) 和 QCM | 真空規(guī) 和 QCM | 真空規(guī) 和 QCM |
工藝控制 | 速率控制 | 速率控制 | 速率控制 |
供氣 | 氮?dú)?/p> | 氮?dú)?/p> | 氮?dú)?/p> |
腔體
客制化的腔體尺寸取決于基板尺寸和其應(yīng)用
腔體為使用金屬密封圈并可烘烤至 150°C
腔體的極限真空度約為 10-10Torr
選件
可以與傳送腔, 機(jī)械手臂和手套箱整合在一起
結(jié)合美國 KRi 離子源, 濺鍍槍, 熱蒸發(fā)源, 等離子清潔...
應(yīng)用領(lǐng)域
光學(xué)材料研究 (LED / Laser Diode)
光電元件
半導(dǎo)體元件
對傳統(tǒng)熱蒸發(fā)技術(shù)難以實(shí)現(xiàn)的材料蒸發(fā), 可采用電子束蒸發(fā)的方式來實(shí)現(xiàn). 不同于傳統(tǒng)的輻射加熱和電阻絲加熱, 高能電子束轟擊可實(shí)現(xiàn)超過 3000℃ 的局域高溫, 這使得絕大部分常用材料都可以被蒸發(fā)出來, 甚至是高熔點(diǎn)的材料, 例如, Pt, W, Mo, Ta 以及一些氧化物, 陶瓷材料等. 上海伯東代理的電子束蒸發(fā)源可承載 1-6種不同的材料, 實(shí)現(xiàn)多層膜工藝; 蒸發(fā)源本身防污染設(shè)計(jì), 使得不同材料之間的交叉污染降到盡可能低.
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上海伯東代理超高真空電子束蒸鍍設(shè)備
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