靜態(tài)壓電系數(shù)d33先進(jìn)測(cè)試儀器 參考價(jià)：8900
靜態(tài)壓電系數(shù)d33先進(jìn)測(cè)試儀器采用數(shù)字合成DDS芯片的函數(shù)發(fā)生器，為激振器提供穩(wěn)定頻率。采用激振器，以實(shí)現(xiàn)jing準(zhǔn)的振動(dòng)頻率。電荷采用高阻放電荷放大器。以保證...
華測(cè)壓電系數(shù)測(cè)試儀器 參考價(jià)：70000
華測(cè)壓電系數(shù)測(cè)試儀器采用利用數(shù)字合成DDS芯片的函數(shù)發(fā)生器，為激振器提供穩(wěn)定頻率。 采用激振器，以實(shí)現(xiàn)更精準(zhǔn)的振動(dòng) 頻率。電荷采用采用高阻放電荷放大器。以保證測(cè)...
靜壓電系數(shù)d33測(cè)量?jī)x 參考價(jià)：70000
靜壓電系數(shù)d33測(cè)量?jī)x采用數(shù)字合成DDS芯片的函數(shù)發(fā)生器，為激振器提供穩(wěn)定頻率。采用激振器，以實(shí)現(xiàn)jing準(zhǔn)的振動(dòng)頻率。電荷采用高阻放電荷放大器。以保證測(cè)試數(shù)據(jù)...
靜壓電系數(shù)d33測(cè)量?jī)x 參考價(jià)：50000
靜壓電系數(shù)d33測(cè)量?jī)x器采用利用數(shù)字合成DDS芯片的函數(shù)發(fā)生器，為激振器提供穩(wěn)定頻率。采用激振器，以實(shí)現(xiàn)jing準(zhǔn)的振動(dòng)頻率。電荷采用采用高阻放電荷放大器。以保...
華測(cè)熱激勵(lì)去極化電流測(cè)量系統(tǒng) 參考價(jià)：50000
華測(cè)熱激勵(lì)去極化電流測(cè)量系統(tǒng)，是電介質(zhì)材料在受熱過程中建立極化態(tài)或解除極化態(tài)時(shí)所產(chǎn)生的短路電流。試樣的去極化電流隨溫度的變化關(guān)系，即為TSDC譜。通過研究TSD...
功能材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：35000
功能材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)可完成功能材料鐵電、壓電、熱釋電、介電、絕緣電阻等電學(xué)測(cè)試，以及高、低溫環(huán)境下的電學(xué)測(cè)試。與電學(xué)檢測(cè)儀器在通訊協(xié)議、數(shù)據(jù)庫處理、軟件兼容...
華測(cè)功能材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：35000
華測(cè)功能材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)可完成功能材料鐵電、壓電、熱釋電、介電、絕緣電阻等電學(xué)測(cè)試，以及高、低溫環(huán)境下的電學(xué)測(cè)試。與電學(xué)檢測(cè)儀器在通訊協(xié)議、數(shù)據(jù)庫處理、軟件...
華測(cè)儀器HTSC2000系列TSDC熱刺激電流測(cè)試儀 參考價(jià)：40000
華測(cè)儀器HTSC2000系列TSDC熱刺激電流測(cè)試儀它能夠在不同測(cè)量條件和測(cè)量模式下進(jìn)行連續(xù)和高速的測(cè)量。
可評(píng)估薄膜導(dǎo)電性能的高溫四探針測(cè)試儀 參考價(jià)：45000
可評(píng)估薄膜導(dǎo)電性能的高溫四探針測(cè)試儀采用直排四探針法設(shè)計(jì)原理測(cè)量。主要用于評(píng)估半導(dǎo)體薄膜和薄片的導(dǎo)電性能，重復(fù)性與穩(wěn)定性更好，采用雙屏蔽高頻測(cè)試線纜，提高測(cè)試參...
高溫快速爐 參考價(jià)：8240
高溫快速爐提高了加熱試驗(yàn)?zāi)芰?。同電阻爐和其他爐相比，紅外線反射爐節(jié)省了升溫時(shí)間和保持時(shí)間及自然冷卻到室溫所需時(shí)間，再試驗(yàn)中也可改寫設(shè)定溫度值。從各方面講，都節(jié)省...
高真空退火爐 參考價(jià)：4537
高真空退火爐可實(shí)現(xiàn)，高反射率的拋物面與高質(zhì)量的加熱源相配置儀器，在高速加熱高速冷卻時(shí)，具有良好的溫度分布?？蓪?shí)現(xiàn)寬域均熱區(qū)，高速加熱、高速冷卻，用石英管保護(hù)加熱...
高真空退火爐 參考價(jià)：280000
高真空退火爐是通過多年研究開發(fā)了一種可實(shí)現(xiàn)，高反射率的拋物面與高質(zhì)量的加熱源相配置儀器。它能在高速加熱高速冷卻時(shí)，具有良好的溫度分布。設(shè)備可組成均熱高速加熱爐，...
高溫快速爐 參考價(jià)：60000
目前國(guó)內(nèi)高溫加熱大都為管式爐或馬弗爐，原理為加熱絲或硅碳棒對(duì)爐體加熱，加熱與降溫速度慢，效率低下，也無法實(shí)現(xiàn)溫度的測(cè)量，加熱區(qū)域也存在不均勻的現(xiàn)象，華測(cè)儀器通過...
四探針測(cè)試儀 參考價(jià)：40000
HCTZ-2S北京華測(cè)試驗(yàn)儀器四探針測(cè)試儀器是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)...
北京華測(cè)四探針測(cè)試儀 參考價(jià)：50000
HCTZ-2S北京華測(cè)四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)試...
華測(cè)試驗(yàn)壓電材料居里溫度測(cè)試儀 參考價(jià)：9870
華測(cè)試驗(yàn)壓電材料居里溫度測(cè)試儀可以分析被測(cè)樣品D33常數(shù)隨溫度、頻率、時(shí)間變化的曲線。通過軟件將這些變化曲線的溫度譜、時(shí)間譜等集成一體并進(jìn)行分析測(cè)量并可以直接得...
華測(cè)儀器壓電材料居里溫度測(cè)試儀 參考價(jià)：14500
華測(cè)儀器壓電材料居里溫度測(cè)試儀可以分析被測(cè)樣品D33常數(shù)隨溫度、頻率、時(shí)間變化的曲線。通過軟件將這些變化曲線的溫度譜、時(shí)間譜等集成一體并進(jìn)行分析測(cè)量并可以直接得...
高溫管式快速爐 參考價(jià)：19600
目前國(guó)內(nèi)高溫加熱大都為管式爐或馬弗爐，原理為加熱絲或硅碳棒對(duì)爐體加熱，加熱與降溫速度慢，效率低下，也無法實(shí)現(xiàn)溫度的測(cè)量，加熱區(qū)域也存在不均勻的現(xiàn)象，華測(cè)儀器通過...
壓電陶瓷居里溫度測(cè)試儀 參考價(jià)：7800
壓電陶瓷居里溫度測(cè)試儀可以分析被測(cè)樣品D33常數(shù)隨溫度、頻率、時(shí)間變化的曲線。通過軟件將這些變化曲線的溫度譜、時(shí)間譜等集成一體并進(jìn)行分析測(cè)量并可以直接得出樣品的...
水平垂直燃燒測(cè)試儀 參考價(jià)：14879
水平垂直燃燒測(cè)試儀本試驗(yàn)設(shè)備符合 ANSI/UL94、IEC60950-1 標(biāo)準(zhǔn)的要求。用于對(duì)電器設(shè)備和器具的塑料材 料部件進(jìn)行水平、垂直可燃性試驗(yàn)。產(chǎn)品箱體外...
華測(cè)差示掃描量熱儀 參考價(jià)：15970
HCDSC華測(cè)差示掃描量熱儀測(cè)量的是與材料內(nèi)部熱轉(zhuǎn)變相關(guān)的溫度、熱流的關(guān)系，應(yīng)用范圍非常廣，特別是材料的研發(fā)、性能檢測(cè)與質(zhì)量控制。材料的特性：如玻璃化轉(zhuǎn)變溫度、...
華測(cè)水平垂直燃燒測(cè)試儀 參考價(jià)：12000
華測(cè)水平垂直燃燒測(cè)試儀用于對(duì)電器設(shè)備和器具的塑料材 料部件進(jìn)行水平、垂直可燃性試驗(yàn)。產(chǎn)品箱體外殼為鋼材結(jié)構(gòu)，并配置了透明觀察窗，數(shù)顯 計(jì)時(shí)器記錄施焰、余焰、余灼...
華測(cè)絕緣電阻劣化（離子遷移）評(píng)估系統(tǒng) 參考價(jià)：25000
華測(cè)絕緣電阻劣化（離子遷移）評(píng)估系統(tǒng)應(yīng)用電路板測(cè)試可連續(xù)監(jiān)測(cè)，高效簡(jiǎn)便評(píng)估因離子遷移現(xiàn)象引起的壽命及絕緣電阻劣化相關(guān)問題。
熱激勵(lì)去極化電流測(cè)量系統(tǒng) 參考價(jià)：35000
熱激勵(lì)去極化電流測(cè)量系統(tǒng)是被廣泛應(yīng)用于電力、絕緣、生物分子等領(lǐng)域，用于研究材料性能的一些關(guān)鍵因素，諸如分子弛豫、相轉(zhuǎn)變、玻璃化溫度等。(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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